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부품번호 | KTB1369 기능 |
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기능 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
KTB1369
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE APPLICATION
TV, MONITOR VERTICAL OUTPUT APPLICATION
DRIVER STAGE APPLICATION
COROR TV CLASS B SOUND OUTPUT APPLICATION
FEATURES
High Breakdown Voltage : VCEO=-180V(Min.)
High Transition Frequency : fT=100MHz(Typ.)
High Current : IC(max)=-2A.
Complementary to KTD2061.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation (Tc=25 )
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
RATING
-200
-180
-5
-2
-0.2
20
150
-55 150
UNIT
V
V
V
A
A
W
A
S
E
LL
M
DD
NN
C
DIM MILLIMETERS
A 10.0+_ 0.3
B 15.0+_ 0.3
C 2.70 +_ 0.3
D 0.76+0.09/-0.05
E Φ3.2 +_ 0.2
F 3.0+_ 0.3
G 12.0+_ 0.3
H 0.5+0.1/-0.05
J 13.6 +_ 0.5
R K 3.7+_ 0.2
L 1.2+0.25/-0.1
M 1.5+0.25/-0.1
N 2.54 +_ 0.1
P 6.8+_ 0.1
Q 4.5 +_ 0.2
R 2.6 +_0.2
HS
0.5 Typ
123
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
TO-220IS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector Cut-off Current
ICBO
Emitter Cut-off Current
IEBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
DC Current Gain
hFE
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
Base-Emitter Voltage
VBE
Transition Frequency
fT
Note : hFE Classification O:70 140 , Y:120 240
TEST CONDITION
VCB=-200V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
IC=-10mA, IB=0
VCE=-10V, IC=-400mA
IC=-500mA, IB=-50mA
VCE=-5V, IC=-500mA
VCE=-10V, IC=-400mA
MIN.
-
-
-180
70
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
100
MAX.
-1.0
-1.0
-
240
-1.0
-1.0
-
UNIT
A
A
V
V
V
MHz
2007. 5. 21
Revision No : 4
1/2
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KTB1366 | PNP Transistor | WEJ |
KTB1366 | Silicon PNP Power Transistors | Inchange Semiconductor |
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