Datasheet.kr   

K2613 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 K2613은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 K2613 자료 제공

부품번호 K2613 기능
기능 MOSFET ( Transistor ) - 2SK2613
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


K2613 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

K2613 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
2SK2613
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (F-MOSIII)
2SK2613
Switching Regulator Applications, DC-DC Converter and
Motor Drive Applications
Unit: mm
· Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.4 (typ.)
· High forward transfer admittance: ïYfsï = 6.0 S (typ.)
· Low leakage current: IDSS = 100 µA (max) (VDS = 800 V)
· Enhancement-model: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (RGS = 20 kW)
Gate-source voltage
Drain current
DC (Note 1)
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation (Tc = 25°C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
Rating
1000
1000
±30
8
24
150
910
8
15
150
-55~150
Unit
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1. GATE
2. DRAIN (HEAT SINK)
3. SOURSE
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
216C1B
Weight: 4.6 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max Unit
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Rth (ch-c)
Rth (ch-a)
0.833
50
°C/W
°C/W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.
Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C, L = 26.3 mH, RG = 25 W, IAR = 8 A
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by max junction temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
1 2002-08-09




K2613 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RDS (ON) - Tc
5
Common source
VGS = 10 V
Pulse test
4
3
ID = 8 A
24
2
1
0
-80 -40 0 40 80
Case temperature Tc (°C)
160
10000
1000
Capacitance – VDS
Ciss
100
Common source
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Tc = 25°C
10
0.1 1
10
Coss
Crss
100
Drain-source voltage VDS (V)
1000
2SK2613
IDR - VDS
100
10
1
10
0.1 3
1 VGS = 0, -1 V
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
Drain-source voltage VDS (V)
Vth - Tc
5 Common source
VDS = 10 V
ID = 1 mA
4 Pulse test
3
2
1
0
-80 -40
0
40 80 120 160
Case temperature Tc (°C)
200
160
120
80
40
0
0
PD - Tc
40 80 120 160
Case temperature Tc (°C)
200
Dynamic input/output characteristics
500
Common source
20
ID = 8 A
Tc = 25°C
400
Pulse test
16
300
VDS
VDS = 100 V
200
200
400
VGS
100
12
8
4
00
0 20 40 60 80 100
Total gate charge Qg (nC)
4 2002-08-09

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ K2613.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
K2610

MOSFET ( Transistor ) - 2SK2610

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
K2611

9A, 900V, N-Channel MOSFET, 2SK2611

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵