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부품번호 | K2613 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2613 | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
www.DataSheet4U.com
2SK2613
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (F-MOSIII)
2SK2613
Switching Regulator Applications, DC-DC Converter and
Motor Drive Applications
Unit: mm
· Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.4 Ω (typ.)
· High forward transfer admittance: ïYfsï = 6.0 S (typ.)
· Low leakage current: IDSS = 100 µA (max) (VDS = 800 V)
· Enhancement-model: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (RGS = 20 kW)
Gate-source voltage
Drain current
DC (Note 1)
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation (Tc = 25°C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
Rating
1000
1000
±30
8
24
150
910
8
15
150
-55~150
Unit
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1. GATE
2. DRAIN (HEAT SINK)
3. SOURSE
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2−16C1B
Weight: 4.6 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max Unit
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Rth (ch-c)
Rth (ch-a)
0.833
50
°C/W
°C/W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.
Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C, L = 26.3 mH, RG = 25 W, IAR = 8 A
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by max junction temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
1 2002-08-09
RDS (ON) - Tc
5
Common source
VGS = 10 V
Pulse test
4
3
ID = 8 A
24
2
1
0
-80 -40 0 40 80
Case temperature Tc (°C)
160
10000
1000
Capacitance – VDS
Ciss
100
Common source
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Tc = 25°C
10
0.1 1
10
Coss
Crss
100
Drain-source voltage VDS (V)
1000
2SK2613
IDR - VDS
100
10
1
10
0.1 3
1 VGS = 0, -1 V
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
Drain-source voltage VDS (V)
Vth - Tc
5 Common source
VDS = 10 V
ID = 1 mA
4 Pulse test
3
2
1
0
-80 -40
0
40 80 120 160
Case temperature Tc (°C)
200
160
120
80
40
0
0
PD - Tc
40 80 120 160
Case temperature Tc (°C)
200
Dynamic input/output characteristics
500
Common source
20
ID = 8 A
Tc = 25°C
400
Pulse test
16
300
VDS
VDS = 100 V
200
200
400
VGS
100
12
8
4
00
0 20 40 60 80 100
Total gate charge Qg (nC)
4 2002-08-09
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
K2610 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2610 | Toshiba Semiconductor |
K2611 | 9A, 900V, N-Channel MOSFET, 2SK2611 | Toshiba Semiconductor |
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