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부품번호 | KTB688 기능 |
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기능 | TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURES
Complementary to KTD718.
Recommended for 45 50W Audio Frequency
Amplifier Output Stage.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation (Tc=25 )
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
RATING
-120
-120
-5
-10
-1
80
150
-55 150
UNIT
V
V
V
A
A
W
KTB688
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR
AQ
B
K
D
d
PP
T
1 23
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
DIM MILLIMETERS
A 15.9 MAX
B 4.8 MAX
C 20.0+_ 0.3
D 2.0+_ 0.3
d 1.0+0.3/-0.25
E 2.0
F 1.0
G 3.3 MAX
H 9.0
I 4.5
MJ
2.0
K 1.8 MAX
L 20.5+_ 0.5
M 2.8
P 5.45+_ 0.2
Q Φ3.2+_ 0.2
T 0.6+0.3/-0.1
TO-3P(N)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
Transition Frequency
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
hFE (Note)
VCE(sat)
VBE
fT
Collector Output Capacitance
Cob
Note : hFE Classification R:55 110, O:80 160
TEST CONDITION
VCB=-120V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
IC=-50mA, IB=0
VCE=-5V, IC=-1A
IC=-5A, IB=-0.5A
VCE=-5V, IC=-5A
VCE=-5V, IC=-1A
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
MIN.
-
-
-120
55
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
10
280
MAX.
-10
-10
-
160
-2.5
-1.5
-
-
UNIT
A
A
V
V
V
MHz
pF
1997. 1. 25
Revision No : 0
1/2
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KTB688 | Silicon PNP Power Transistors | Inchange Semiconductor |
KTB688 | TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR | KEC |
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