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KTD1047B 데이터시트 PDF




KEC에서 제조한 전자 부품 KTD1047B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 KTD1047B 자료 제공

부품번호 KTD1047B 기능
기능 TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
제조업체 KEC
로고 KEC 로고


KTD1047B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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KTD1047B 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURES
Complementary to KTB817B.
Recommended for 60W Audio Frequency
Amplifier Output Stage.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
DC
Pulse
Collector Power Dissipation (Tc=25 )
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
RATING
160
140
6
12
15
100
150
-55 150
UNIT
V
V
V
A
W
KTD1047B
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
A
NQ
O
D
E
d
PP
123
1. BASE
2. COLLECTOR (HEAT SINK)
3. EMITTER
B
K
DIM MILLIMETERS
A 15.60 +_ 0.20
B 4.80 +_ 0.20
C 19.90 +_ 0.20
D 2.00 +_ 0.20
d 1.00 +_ 0.20
E 3.00 +_ 0.20
F 3.80 +_ 0.20
G 3.50 +_ 0.20
H 13.90 +_ 0.20
I 12.76 +_ 0.20
J 23.40 +_ 0.20
M K 1.5+0.15-0.05
L 16.50 +_ 0.30
M 1.40 +_ 0.20
T N 13.60 +_ 0.20
O 9.60 +_ 0.20
P 5.45 +_ 0.30
Q 3.20 +_ 0.10
R 18.70 +_ 0.20
T 0.60+0.15-0.05
TO-3P(N)-E
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector Cut-off Current
ICBO
Emitter Cut-off Current
IEBO
DC Current Gain
hFE (1) (Note)
hFE 2
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
Base-Emitter Voltage
VBE(ON)
Transition Frequency
fT
Output Capacitance
Cob
Turn On Time
ton
Fall Time
tf
Storage Time
tstg
Note : hFE(1) Classification O:60 120, Y:100 200
TEST CONDITION
VCB=80V, IE=0
VEB=4V, IC=0
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=6A
IC=5A, IB=0.5A
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=1A
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
VCC=20V
IC=1A=10
RL=20
IB1=-10
IB2
MIN.
-
-
60
20
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
15
210
0.26
0.68
6.88
MAX.
0.1
0.1
200
2.5
1.5
-
-
-
-
-
UNIT
mA
mA
V
V
MHz
pF
S
2011. 3. 18
Revision No : 0
1/3





구       성 총 3 페이지수
다운로드[ KTD1047B.PDF 데이터시트 ]

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