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BU103T PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BU103T
기능 NPN Transistor
제조업체 Crystal Electronics
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BU103T 데이터시트, 핀배열, 회로
BU103T
NPN 大功率晶体管
* 主要用途 :
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
* 主要特点:
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。
* 封装形式:
TO-92
极限值:( Tc=25 )
参 数 名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
TO-92
1. 基极 2. 集电极 3. 发射极
BC
E
额定值
400
600
9
1.5
25
150
55 150
单位
V
V
V
A
W
电特性: ( Tc=25 )
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-基极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
下降时间
特征频率
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
HFE
VCE (sat)
tf
fT
测试条件
IC=1mA
IB=0
IC=1mA
IE=0
IE=1mA
IC=0
VCE=350VIB=0
VCB=550VIE=0
VEB=7V
IC=0
VCE=5VIC=0.2A
IC=1AIB=0.5A
IC=1AIB1=IB2=0.2AVCE=300V
VCE=10VIC=0.1Af =1MHz
规范值
最小值 最大值
400
600
9
20
10
10
10 35
0.6
0.3
8
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
uS
MHz
深圳市晶导电子有限公司






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