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PDF 2SD1171 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD1171
Descripción Silicon NPN Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD1171 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD1171
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: VCBO= 1500V (Min)
·High Power Dissipation
·Wide Area of Safe Operation
APPLICATIONS
·Designed for line-operated horizontal deflection output
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
1500
V
VCES
Collector-Emitter Voltage
1500
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current- Continuous 3 A
ICP Collector Current-Pulse
PC
Collector Power Dissipation
@ TC≤90℃
TJ Junction Temperature
4.5 A
50 W
130 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-65~130
℃
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD1170Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1171Silicon NPN TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1172Silicon NPN TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1172(2SD1172 - 2SD1174) SI NPN TRIPLE DIFFUSED JUNCTION MESAPanasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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