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PDF 3DD7F Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 3DD7F | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD7F
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 300V(Min)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 3.75A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier, low speed switching and
regulated power supply applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
400 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
300 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @ TC=75℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
7.5 A
75 W
175 ℃
-55~175
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.33 ℃/W
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 3DD741A8 | Silicon NPN Transistor |  Huajing Microelectronics |
| 3DD742A8 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
| 3DD7A | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 3DD7B | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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