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부품번호 | 3DD8E 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD8E
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 150V(Min)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 2V(Max) @IC= 5A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier, low speed switching and
regulated power supply applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
150 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
150 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @ TC=75℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
15 A
100 W
175 ℃
-55~175
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.0 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
3DD8A | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
3DD8B | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
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