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BU120 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BU120
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BU120 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
isc Product Specification
BU120
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
:VCEO(SUS) = 200V(Min)
APPLICATIONS
·Designed for horizontal deflection output stage of CTV
receivers and high voltalge, fast switching and industrial
application.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Emitter Voltage
VCEO Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
ICM Collector Current-peak
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
400 V
200 V
7V
10 A
15 A
3.0 A
100
200
-65~200
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.75 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1






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