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HFU630A 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFU630A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HFU630A 자료 제공

부품번호 HFU630A 기능
기능 200V N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HFU630A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HFU630A 데이터시트, 핀배열, 회로
August 2015
HFD630A / HFU630A
200V N-Channel MOSFET
BVDSS = 200 V
RDS(on) typ ȍ
ID = 9.0 A
FEATURES
‰ Originative New Design
‰ Superior Avalanche Rugged Technology
‰ Robust Gate Oxide Technology
‰ Very Low Intrinsic Capacitances
‰ Excellent Switching Characteristics
‰ Unrivalled Gate Charge : 12 nC (Typ.)
‰ Extended Safe Operating Area
‰ Lower RDS(ON) ȍ 7\S #9GS=10V
‰ 100% Avalanche Tested
D-PAK I-PAK
2
1
3
HFD630A
1
2
3
HFU630A
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
PD
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25)
– Continuous (TC = 100)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Power Dissipation (TA = 25)
Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
200
9.0 *
5.7 *
36 *
ρ30
232
9.0
9.5
2.5
45
0.36
TJ, TSTG
TL
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
300
* Drain current limited by maximum junction temperature
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
Parameter
RșJC
Junction-to-Case
RșJA Junction-to-Ambient*
RșJA Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
Typ.
--
--
--
Max.
2.77
50
110
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
W
W
W/
Units
/W
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͲΦΘΦΤΥ͑ͣͦ͑͢͡




HFU630A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
D=0.5
100
0.2
0.1
0.05
* Notes :
1. ZTJC(t) = 2.77 oC/W Max.
2. Duty Factor, D=t1/t2
3.
T
JM
-
T
C
=
P
DM
*
ZTJC(t)
10-1 0.02
0.01
10-5
PDM
single pulse
10-4
10-3
10-2
t1
t2
10-1
100
t , Square Wave Pulse Duration [sec]
1
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͲΦΘΦΤΥ͑ͣͦ͑͢͡

4페이지










HFU630A 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
kTwhrG
O{vTY\YhPG
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͲΦΘΦΤΥ͑ͣͦ͑͢͡

7페이지


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