|
|
|
부품번호 | HFU630A 기능 |
|
|
기능 | 200V N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | SemiHow | ||
로고 | |||
August 2015
HFD630A / HFU630A
200V N-Channel MOSFET
BVDSS = 200 V
RDS(on) typ ȍ
ID = 9.0 A
FEATURES
Originative New Design
Superior Avalanche Rugged Technology
Robust Gate Oxide Technology
Very Low Intrinsic Capacitances
Excellent Switching Characteristics
Unrivalled Gate Charge : 12 nC (Typ.)
Extended Safe Operating Area
Lower RDS(ON) ȍ7\S#9GS=10V
100% Avalanche Tested
D-PAK I-PAK
2
1
3
HFD630A
1
2
3
HFU630A
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
PD
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25)
– Continuous (TC = 100)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Power Dissipation (TA = 25)
Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
200
9.0 *
5.7 *
36 *
ρ30
232
9.0
9.5
2.5
45
0.36
TJ, TSTG
TL
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
300
* Drain current limited by maximum junction temperature
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
Parameter
RșJC
Junction-to-Case
RșJA Junction-to-Ambient*
RșJA Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
Typ.
--
--
--
Max.
2.77
50
110
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
W
W
W/
Units
/W
క͑΄Ͷ;ͺΈ͑Ͷ·͟Ͳ͡͝ͲΦΘΦΤΥ͑ͣͦ͑͢͡
Typical Characteristics (continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
D=0.5
100
0.2
0.1
0.05
* Notes :
1. ZTJC(t) = 2.77 oC/W Max.
2. Duty Factor, D=t1/t2
3.
T
JM
-
T
C
=
P
DM
*
ZTJC(t)
10-1 0.02
0.01
10-5
PDM
single pulse
10-4
10-3
10-2
t1
t2
10-1
100
t , Square Wave Pulse Duration [sec]
1
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
క͑΄Ͷ;ͺΈ͑Ͷ·͟Ͳ͡͝ͲΦΘΦΤΥ͑ͣͦ͑͢͡
4페이지 Package Dimension
kTwhrG
O{vTY\YhPG
క͑΄Ͷ;ͺΈ͑Ͷ·͟Ͳ͡͝ͲΦΘΦΤΥ͑ͣͦ͑͢͡
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ HFU630A.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
HFU630 | N-Channel MOSFET | SemiHow |
HFU630A | 200V N-Channel MOSFET | SemiHow |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |