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5SNA1600N170100 데이터시트 PDF




ABB에서 제조한 전자 부품 5SNA1600N170100은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 5SNA1600N170100 자료 제공

부품번호 5SNA1600N170100 기능
기능 IGBT Module
제조업체 ABB
로고 ABB 로고


5SNA1600N170100 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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5SNA1600N170100 데이터시트, 핀배열, 회로
VCE =
IC =
1700 V
1600 A
ABB HiPakTM
IGBT Module
5SNA 1600N170100
Low-loss, rugged SPT chip-set
Smooth switching SPT chip-set for
good EMC
Industry standard package
High power density
AlSiC base-plate for high power
cycling capability
AlN substrate for low thermal
resistance
Doc. No. 5SYA1564-01 Oct 06
Maximum rated values 1)
Parameter
Symbol Conditions
min max Unit
Collector-emitter voltage
VCES VGE = 0 V, Tvj 25 °C
1700 V
DC collector current
IC Tc = 80 °C
1600 A
Peak collector current
ICM tp = 1 ms, Tc = 80 °C
3200 A
Gate-emitter voltage
VGES
-20 20 V
Total power dissipation
Ptot Tc = 25 °C, per switch (IGBT)
9100 W
DC forward current
IF
1600 A
Peak forward current
Surge current
IGBT short circuit SOA
IFRM
IFSM
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 ms, half-sinewave
tpsc
VCC = 1200 V, VCEMCHIP 1700 V
VGE 15 V, Tvj 125 °C
3200 A
13200 A
10 µs
Isolation voltage
Visol 1 min, f = 50 Hz
4000 V
Junction temperature
Tvj
150 °C
Junction operating temperature Tvj(op)
-40 125 °C
Case temperature
Tc
-40 125 °C
Storage temperature
Tstg
-40 125 °C
Mounting torques 2)
Ms Base-heatsink, M6 screws
Mt1 Main terminals, M8 screws
46
8 10 Nm
Mt2 Auxiliary terminals, M4 screws
23
1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur per IEC 60747
2) For detailed mounting instructions refer to ABB document no. 5SYA 2039 - 01
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.




5SNA1600N170100 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical configuration
Outline drawing 2)
5SNA 1600N170100
Note: all dimensions are shown in mm
2) For detailed mounting instructions refer to ABB document no. 5SYA 2039 - 01
This is an electrostatic sensitive device, please observe the international standard IEC 60747-1, chap. IX.
This product has been designed and qualified for industrial level.
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1564-01 Oct 06
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5SNA1600N170100 전자부품, 판매, 대치품
5SNA 1600N170100
1000
20
Cies
100
Coes
VCC = 900 V
15
VCC = 1300 V
10
10
1
0
Cres
VGE = 0 V
fOSC = 1 MHz
VOSC = 50 mV
5 10 15 20 25 30 35
VCE [V]
Fig. 9 Typical capacitances
vs collector-emitter voltage
5
IC = 1600 A
Tvj = 25 °C
0
0 2 4 6 8 10 12
Qg [µC]
Fig. 10 Typical gate charge characteristics
2.5
VCC 1200 V, Tvj = 125 °C
VGE = ±15 V, RG = 0.82 ohm
2
1.5
1
0.5
0
0
Chip
Module
500
1000
VCE [V]
1500
2000
Fig. 11 Turn-off safe operating area (RBSOA)
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1564-01 Oct 06
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