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5SNS0300U120100 데이터시트 PDF




ABB에서 제조한 전자 부품 5SNS0300U120100은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 5SNS0300U120100 자료 제공

부품번호 5SNS0300U120100 기능
기능 IGBT Module
제조업체 ABB
로고 ABB 로고


5SNS0300U120100 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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5SNS0300U120100 데이터시트, 핀배열, 회로
VCE =
IC =
1200 V
300 A
IGBT Module LoPak5 SPT
5SNS 0300U120100
· Low-loss, rugged SPT chip-set
· Smooth switching SPT chip-set for
good EMC
· Low profile compact baseless
package for high power cycling
capability
· Snap-on PCB assembly
· Integrated PTC substrate
temperature sensor
Doc. No. 5SYA1528-02 July 03
Maximum rated values 1)
Parameter
Symbol Conditions
Collector-emitter voltage
DC collector current
Peak collector current
Gate-emitter voltage
Total power dissipation
DC forward current
Peak forward current
Surge current
IGBT short circuit SOA
Isolation voltage
Junction temperature
Case operating temperature
Storage temperature
Mounting torques
VCES
IC
ICM
VGES
Ptot
IF
IFM
IFSM
tpsc
Visol
Tvj
Tc(op)
Tstg
M1
M2
VGE = 0 V, Tvj ³ 25 °C
Th = 60 °C
tp = 1 ms, Th = 60 °C
Th = 25 °C, per switch (IGBT)
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,
tp = 10 ms, half-sinewave
VCC = 900 V, VCEMCHIP £ 1200 V
VGE £ 15 V, Tvj £ 125 °C
1 min, f = 50 Hz
Base-heatsink, M5 screws
Main terminals, M6 screws
1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur
min
1200
-20
max
300
600
20
960
300
600
Unit
V
A
A
V
W
A
A
3600 A
10 µs
2500 V
150 °C
-40 125 °C
-40 125 °C
23
Nm
45
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.




5SNS0300U120100 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical configuration
Outline drawing
5SNS 0300U120100
For mounting instructions refer to ABB document No. 5SYA 2017
This is an electrostatic sensitive device, please observe the international standard IEC 60747-1, chap. IX.
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1528-02 July 03
page 4 of 9

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5SNS0300U120100 전자부품, 판매, 대치품
5SNS 0300U120100
100
Cies
VGE = 0 V
fOSC = 1 MHz
VOSC = 50 mV
10
Coes
Cres
1
0 5 10 15 20 25 30 35
VCE [V]
20
15
10
5
0
0
VCC = 600 V
VCC = 800 V
IC = 300 A
Tvj = 25 °C
12
Qg [µC]
3
Fig. 9 Typical capacitances
vs collector-emitter voltage
Fig. 10 Typical gate charge characteristics
400
VGE ³ 15 V
Tvj = 150 °C
300
200
100
IGBT
Diode
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Th [°C]
Fig. 11 Rated current vs temperature
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
RT
= R eB(1 T -1 T0 )
T0
RT0 = 1kW (±3 %), B = -760 K (±2%), T0 = 298 K
200
0
0 20 40 60 80 100 120 140
T [°C]
Fig. 12 PTC temperature sensor
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.
Doc. No. 5SYA1528-02 July 03
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