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부품번호 | 1SS190 기능 |
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기능 | SWITCHING DIODE | ||
제조업체 | JCET | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
1SS190
Switching Diode
FEATURES
y Low forward voltage
y Fast reverse recovery time
MARKING: E3
E3
SOT-23
1
3
2
Maximum Ratings @Ta=25℃
Parameter
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms
Power Dissipation
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
VRM
VR
IFM
IO
IFSM
PD
RθJA
TJ
TSTG
Limit
85
80
300
100
2.0
150
833
150
-55~+150
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
℃/W
℃
℃
Electrical Characteristics @Ta=25℃
Parameter
Reverse breakdown voltage
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
Symbol
V(BR)
VF1
VF2
VF3
IR1
IR2
CT
t rr
Min Typ Max Unit
Conditions
80
0.61
0.74
0.92 1.2
0.1
0.5
2.2 4.0
1.6 4.0
V IR=100μA
V IF=1mA
V IF=10mA
V IF=100mA
uA VR=30V
uA VR=80V
pF VR=0,f=1MHz
ns IF=IR=10mA,Irr=0.1×IR
www.cj-elec.com
1
B,Aug,2014
627 7DSH DQG 5HHO
ZZZFMHOHFFRP
4
B,Aug,2014
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1SS190 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Toshiba Semiconductor |
1SS190 | Switching Diodes | LGE |
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