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부품번호 | 1SS226 기능 |
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기능 | SWITCHING DIODE | ||
제조업체 | JCET | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
1SS226 SWITCHING DIODE
FEATURES
z Low forward voltage
z Fast reverse recovery time
z Small total capacitance
MARKING: C3
C3 C3
SOT-23
1
3
2
Solid dot = Green molding compound device,if none,the normal device.
Maximum Ratings ,Single Diode @Ta=25℃
Parameter
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Peak Repetitive Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms
Power Dissipation
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VRM
VRRM
VRWM
VR
IFM
IO
IFSM
PD
RθJA
TJ
TSTG
Limit
85
80
300
100
2
150
833
150
-55~+150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
Min
Reverse breakdown voltage
Reverse voltage leakage current
Forward voltage
Diode capacitance
Reverse recovery time
www.cj-elec.com
V(BR)
IR
VF
CD
t rr
IR= 100uA
VR=80V
IF=100mA
VR=0V, f=1MHz
IF=10mA
1
80
Unit
V
V
mA
mA
A
mW
℃/W
℃
℃
Max Unit
V
0.5 uA
1.2 V
3 pF
4 ns
B,Aug,2014
627 7DSH DQG 5HHO
ZZZFMHOHFFRP
4
B,Aug,2014
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1SS220 | (1SS220 / 1SS221) SILICON SWITCHING DIODES | NEC |
1SS226 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Toshiba Semiconductor |
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