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부품번호 | 1SS226 기능 |
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기능 | 150mW SWITCHING DIODE | ||
제조업체 | MCC | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
MCC
TM
Micro Commercial Components
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
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Features
• Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"
• Low Current Leakage.
• Surface Mount SOT-23 Package
• Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
• Moisture Sensitivity Level 1
Maximum Ratings
• Operating Temperature: -55°C to +125°C
• Storage Temperature: -55°C to +150 °C
• 150mW Power dissipation.
x Marking:C3
1SS226
150mW SWITCHING
DIODE
SOT-23
A
D
CB
FE
Maximum Ratings
Reverse Breakdown Voltage
Average Forward Current
Maximum Forward Current
Total Power Dissipation @ TA = 25°C
Storage Temperature Range
Junction Temperature
VR 80V
Io 100mA
IFM 300mA
PD 150mW
Tstg -55°C to 150°C
Tj 125°C
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Ratings
Forward Voltage at
IF=1mA
IF=10mA
IF=100mA
Reverse Current
Reverse Breakdown
Voltage
Capacitance
Reverse Recovery
Time
Symbol
IR
V(BR)
CJ
trr
Max.
715mV
855mV
1200mV
25nA
0.5uA
80V(min)
3pF
4ns
Notes
VR=20V
VR = 80V
IR=100 uA
Measured at
1.0MHz, VR=0V
G HJ
K
DIMENSIONS
INCHES
DIM MIN
MAX
A .110 .120
B .083 .104
C .047 .055
D .035 .041
E .070 .081
F .018 .024
G
.0005
.0039
H .035 .044
J .003 .007
K .015 .020
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
Suggested Solder
Pad Layout
NOTE
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
.037
.950
.037
.950
Revision: B
www.mccsemi.com
1 of 3
2013/01/01
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ 1SS226.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1SS220 | (1SS220 / 1SS221) SILICON SWITCHING DIODES | NEC |
1SS226 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Toshiba Semiconductor |
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