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부품번호 | 2SK1211 기능 |
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기능 | N-Channel MOSFET Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1211
DESCRIPTION
·Drain Current –ID=2.5A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS=800V(Min)
APPLICATIONS
·Designed for high voltage, high speed power switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL ARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
Gate-Source Voltage
800
±20
V
V
Drain Current-continuous@ TC=25℃ 2.5 A
Total Dissipation@TC=25℃
40 W
Max. Operating Junction Temperature
150
℃
Storage Temperature Range
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance,Junction to Case
Thermal Resistance,Junction to Ambient
1.56
35
℃/W
℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2SK1211.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SK121 | Silicon N Channel Junction FET | Sony |
2SK1211 | N-Channel MOSFET Transistor | Inchange Semiconductor |
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