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BAW56W 데이터시트 PDF




SeCoS에서 제조한 전자 부품 BAW56W은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BAW56W 자료 제공

부품번호 BAW56W 기능
기능 Small Signal Switching Diode
제조업체 SeCoS
로고 SeCoS 로고


BAW56W 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BAW56W 데이터시트, 핀배열, 회로
Elektronische Bauelemente
BAW56W
Small Signal Switching Diode
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
z Fast Switching Speed
z For General Purpose Switching Applications
z High Conductance
MARKING: KJC
3
12
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Single diode @ TA = 25°C)
Parameter
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Peak Repetitive Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Peak Forward Surge Current
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction, Storage Temperature
@=1.0μs
@=1.0s
Symbol
VRM
VRRM
VRWM
VR
VR(RMS)
IFM
IO
IFSM
PD
RθJA
TJ, TSTG
SOT-323
A
L
3
Top View
CB
12
KE
1
D
F GH
3
2
J
REF.
A
B
C
D
E
Millimeter
Min.
2.00
2.15
1.15
Max.
2.20
2.45
1.35
0.90 1.10
1.20 1.40
REF.
F
G
H
J
Millimeter
Min. Max.
0.20 0.40
--
0.525 REF.
0.08 0.15
Ratings
100
75
53
300
150
2.0
1.0
200
625
150, -65 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
A
mW
°C/W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Ta = 25°C unless otherwise specified)
Parameters
Symbol Min. Max.
Unit
Reverse Breakdown Voltage
V(BR)R
75 -
V
Reverse Voltage Leakage Current
IR
-
2.5
25
μA
nA
Forward Voltage
Diode Capacitance (between Terminals)
Reverse Recovery Time
VF1
VF2
VF3
VF4
CT
tRR
- 715
- 855
- 1000
- 1250
-2
-4
mV
pF
nS
Test Conditions
IR = 2.5 μA
VR = 75 V
VR = 20 V
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VR = 0, f = 1MHz
IF = IR = 10 mA, IRR = 0.1xIR, RL=100Ω
01-Nov-2008 Rev. C
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