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부품번호 | BAS16 기능 |
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기능 | SWITCHING DIODE | ||
제조업체 | JCET | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
BAS16 SWITCHING DIODE
FEATURES
z Fast Switching Speed
z For General Purpose Switching Applications
z High Conductance
Marking: A6
A6
A6
Solid dot = Green molding compound device,
if none,the normal device.
SOT-23
1
3
2
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃
Parameter
Symbol
Limit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Peak Repetitive Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
VRM
VRRM
VRWM
VR
VR(RMS)
IFM
IO
IFSM
Pd
RθJA
Tj
TSTG
100
75
53
300
150
2.0
225
556
150
-55~+150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
Min
Reverse breakdown voltage
V(BR)
IR= 100µA
75
Reverse voltage leakage current
Forward voltage
Diode capacitance
Reveres recovery time
IR VR=75V
IF=1mA
VF
IF=10mA
IF=50mA
IF=150mA
CD VR=0, f=1MHz
trr
IF=IR=10mA,Irr=0.1×IR,
RL=100Ω
www.cj-elec.com
1
Unit
V
V
V
mA
mA
A
mW
℃/W
℃
℃
Max
1
0.715
0.855
1
1.25
2
6
Unit
V
µA
V
pF
ns
B,Oct,2014
627 7DSH DQG 5HHO
ZZZFMHOHFFRP
4
B,Oct,2014
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAS100ATB6 | SURFACE MOUNT DUAL ISOLATED OPPOSING SILICON SCHOTTKY DIODES | Pan Jit International |
BAS101 | High Voltage Switching Diodes | NXP Semiconductors |
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