|
|
|
부품번호 | 1SS344 기능 |
|
|
기능 | SCHOTTKY B ARRIER DIODE | ||
제조업체 | Jin Yu Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
1SS344
SCHOTTKY BARRIER DIODE
FEATURES
Low Forward Voltage
Fast Reverse Recovery Time
High Forward Current
APPLICATIONS
High Speed Switching
SOT-23
MARKING: H9
MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted )
Symbol
Parameter
VR DC Blocking Voltage
IO Forward Continuous Current
IFM Peak Forward Current
IFSM Surge Current@10ms
PD Power Dissipation
RθJA
Thermal Resistance From Junction To Ambient
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
Value
20
500
1.5
5
200
500
125
-55~+150
Unit
V
mA
A
A
mW
℃/W
℃
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Reverse voltage
Reverse current
Forward voltage
Total capacitance
Reverse recovery time
Symbol
V(BR)
IR
VF
Ctot
trr
Test conditions
IR=100μA
VR=10V
VR=20V
IF=10mA
IF=100mA
IF=500mA
VR=0V, f=1MHz
IF= IR=50mA, VR=6V
Min Typ Max
20
20
100
0.35
0.43
0.55
120
20
Unit
V
μA
V
pF
ns
JinYu
semiconductor
www.htsemi.com
| |||
구 성 | 총 1 페이지수 | ||
다운로드 | [ 1SS344.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1SS344 | DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION) | Toshiba Semiconductor |
1SS344 | SCHOTTKY B ARRIER DIODE | Jin Yu Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |