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BAT54SDW 데이터시트 PDF




LGE에서 제조한 전자 부품 BAT54SDW은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BAT54SDW 자료 제공

부품번호 BAT54SDW 기능
기능 Surface Mount Schottky Barrier Diode Arrays
제조업체 LGE
로고 LGE 로고


BAT54SDW 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BAT54SDW 데이터시트, 핀배열, 회로
BAT54TW/ADW/CDW/SDW/BRW
Surface Mount Schottky Barrier Diode Arrays
Features
· Low Forward Voltage Drop
· Fast Switching
· Ultra-Small Surface Mount Package
· PN Junction Guard Ring for Transient and
ESD Protection
Mechanical Data
· Case: SOT-363, Molded Plastic
· Case Material - UL Flammability Rating
Classification 94V-0
· Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
· Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
· Orientation: See Diagrams Below
· Weight: 0.006 grams (approx.)
· Marking: See Diagrams Below & Page 2
A1 C2 C2
C1 A2 A2
SOT-363
Dimensions in inches and (millimeters)
AC C2 A2
1
AC
1
C1
C2
C1 C2 C3
C1 C1 A2
A1 A1 C2
BAT54ADW*
Marking: KL6
BAT54CDW*
Marking: KL7
*Symmetrical configuration, no orientation indicator.
A1
C1
AC
2
BAT54SDW*
Marking: KL8
A1
A2
AC
2
BAT54BRW
Marking: KLB
A1 A2
A3
BAT54TW
Marking: KLA
Maximum Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Forward Continuous Current (Note 1)
Repetitive Peak Forward Current (Note 1)
Forward Surge Current (Note 1)
@ t < 1.0s
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
VRRM
VRWM
VR
IF
IFRM
IFSM
Pd
RqJA
Tj, TSTG
Value
30
200
300
600
200
625
-65 to +125
Unit
V
mA
mA
mA
mW
°C/W
°C
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)
Forward Voltage (Note 2)
Reverse Leakage Current (Note 2)
Total Capacitance
Reverse Recovery Time
Symbol Min
V(BR)R
30
VF ¾
IR ¾
CT ¾
trr ¾
Typ Max Unit
Test Condition
¾ ¾ V IR = 100mA
240 IF = 0.1mA
320 IF = 1mA
¾ 400 mV IF = 10mA
500 IF = 30mA
1000
IF = 100mA
¾ 2.0 mA VR = 25V
¾ 10 pF VR = 1.0V, f = 1.0MHz
¾
5.0
ns
IF = 10mA through IR = 10mA
to IR = 1.0mA, RL = 100W
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc.
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
http://www.luguang.cn





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