|
|
|
부품번호 | ACE4953B 기능 |
|
|
기능 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | ACE Technology | ||
로고 | |||
ACE4953B
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Description
The ACE4953B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate
charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
Features
VDS(V)=-20V
ID=-5.5A (VGS=-10V)
RDS(ON)<55mΩ (VGS=-10V)
RDS(ON)<58mΩ (VGS=-4.5V)
RDS(ON)<80mΩ (VGS=-2.5V)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol Max Unit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Continuous) * AC TA=25 OC
TA=70 OC
VDSS
VGSS
ID
-20 V
±12 V
-5.5
A
-4.4
Drain Current (Pulse) * B
IDM -25 A
Power Dissipation
TA=25 OC
TA=70 OC
PD
2
W
1.5
Operating and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 to 150 OC
Packaging Type
SOP-8
VER 1.2 1
ACE4953B
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Typical Performance Characteristics
VER 1.2 4
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
다운로드 | [ ACE4953B.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
ACE4953B | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ACE Technology |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |