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P75N06 데이터시트 PDF




Pan Jit International에서 제조한 전자 부품 P75N06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P75N06 자료 제공

부품번호 P75N06 기능
기능 PJP75N06
제조업체 Pan Jit International
로고 Pan Jit International 로고


P75N06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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P75N06 데이터시트, 핀배열, 회로
PJP75N06
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
FEATURES
• RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=13m
• RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=18m
• Advanced Trench Process Technology
• High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
• Specially Designed for Converters and Power Motor Controls
• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
• Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS environment
substance directive request
MECHANICALDATA
• Case: TO-220 Molded Plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750D,Method 1036.3
• Marking : P75N06
Drain
Gate
Source
PIN Assignment
1. Gate
2. Drain
3. Source
Maximum RATINGS and Thermal Characteristics (TA=25OC unless otherwise noted )
Drain-Source Voltage
PA RA ME TE R
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current 1)
Maximum Power Dissipation
Op e r a ti ng J unc ti o n a nd S to r a g e Te m p e r a tur e Ra ng e
Avalanche Energy with Single Pulse
ID=40A, VDD=25V, L=0.5mH
Junction-to-Case Thermal Resistance
TA= 2 5 OC
TA= 7 5 OC
Junction-to Ambient Thermal Resistance(PCB mounted)2
S ym b o l
V DS
V GS
ID
ID M
PD
TJ,TSTG
E AS
RθJC
RθJA
Limit
60
+20
75
350
105
62.5
-55 to + 150
400
1.2
62
Uni ts
V
V
A
A
W
OC
mJ
OC /W
OC /W
Note: 1. Maximum DC current limited by the package
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
STAD-JUN.19.2006
PAGE . 1




P75N06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
PJP75N06
Vgs
Qg
Vgs(th)
Qg(th)
Qgs
Qsw
Qgd
Qg
Fig.6 - Gate Charge Waveform
10
VDS=30V
ID=30A
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Qg - Gate Charge (nC)
Fig.7 - Gate Charge
1.3
ID=250uA
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
TJ - Junction Tem perature (oC)
Fig.8 - Threshold Voltage vs Temperature
76
ID=250uA
74
72
70
68
66
64
62
-50
-25 0 25 50 75 100 125
TJ - Junction Tem perature (oC)
150
Fig.9 - Breakdown Voltage vs Junction Temperature
100
VGS=0V
10
TJ=125OC
1
TJ=-55OC
TJ=25OC
0.1
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
1.6
Fig.10 - Source-Drain Diode Forward Voltage
LEGALSTATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2006
The information presented in this document is believed to be accurate and reliable. The specifications and information herein
are subject to change without notice. Pan Jit makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its
products for any particular purpose. Pan Jit products are not authorized for use in life support devices or systems. Pan Jit
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