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IXYN82N120C3 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYN82N120C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYN82N120C3 자료 제공

부품번호 IXYN82N120C3 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYN82N120C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYN82N120C3 데이터시트, 핀배열, 회로
1200V XPTTM IGBT
GenX3TM
High-Speed IGBT
for 20-50 kHz Switching
Preliminary Technical Information
IXYN82N120C3
VCES =
IC110 =
V CE(sat)
tfi(typ) =
1200V
66A
3.2V
93ns
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
VISOL
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2Ω
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
50/60Hz
IISOL 1mA
t = 1min
t = 1s
Mounting Torque
Terminal Connection Torque
Maximum Ratings
1200
1200
V
V
±20 V
±30 V
120 A
66 A
380 A
41 A
800 mJ
ICM = 164
@VCE VCES
600
A
W
-55 ... +175
175
-55 ... +175
°C
°C
°C
2500
3000
V~
V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.3/11.5 Nm/lb.in.
30 g
SOT-227B, miniBLOC
E153432
Ec
G
Ec
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
c either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
z Optimized for Low Switching Losses
z Square RBSOA
z 2500V~ Isolation Voltage
z Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
z Avalanche Rated
z High Current Handling Capability
z International Standard Package
Advantages
z High Power Density
z Low Gate Drive Requirement
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150°C
IGES VCE = 0V, VGE = ±20V
VCE(sat)
IC
=
82A,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
150°C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1200
V
2.5 4.5 V
25 μA
500 μA
±100 nA
2.75
3.76
3.20 V
V
Applications
z High Frequency Power Inverters
z UPS
z Motor Drives
z SMPS
z PFC Circuits
z Battery Chargers
z Welding Machines
z Lamp Ballasts
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100389A(12/12)




IXYN82N120C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYN82N120C3
Fig. 7. Transconductance
80
TJ = - 40ºC
70
60
25ºC
50
125ºC
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
IC - Amperes
16
14
VCE = 600V
I C = 82A
12 I G = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
QG - NanoCoulombs
10,000
Fig. 9. Capacitance
1,000
100
10
0
f = 1 MHz
5 10
15 20 25
VCE - Volts
Cies
Coes
Cres
30 35
40
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
180
160
140
120
100
80
60
40 TJ = 150ºC
RG = 2
20 dv / dt < 10V / ns
0
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
VCE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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