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IXYN75N65C3D1 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYN75N65C3D1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYN75N65C3D1 자료 제공

부품번호 IXYN75N65C3D1 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYN75N65C3D1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYN75N65C3D1 데이터시트, 핀배열, 회로
Advance Technical Information
XPTTM 650V IGBT
GenX3TM w/ Diode
IXYN75N65C3D1
Extreme Light Punch through
IGBT for 20-60kHz Switching
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
IF110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
tsc
(SCSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TVISOL
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TC = 25°C (Chip Capability)
TTCC
= 110°C
= 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 3
Clamped Inductive Load
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C
RG = 82, Non Repetitive
TC = 25°C
50/60Hz
IISOL 1mA
t = 1min
t = 1s
Mounting Torque
Terminal Connection Torque
E
Maximum Ratings
650
650
±20
±30
V
V
V
V
150 A
75 A
60 A
360 A
30 A
300 mJ
ICM = 150
VCE VCES
8
A
μs
600
-55 ... +175
175
-55 ... +175
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
W
°C
°C
°C
V~
V~
Nm/lb.in
Nm/lb.in
g
VCES = 650V
IC110 = 75A
VCE(sat)  2.3V
tfi(typ) = 60ns
SOT-227B, miniBLOC
E153432
E
G
E
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
International Standard Package
miniBLOC, with Aluminium Nitride
Isolation
2500V~ Isolation Voltage
Optimized for 20-60kHz Switching
Square RBSOA
Avalanche Rated
Short Circuit Capability
High Current Handling Capability
Anti-Parallel Fast Diode
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC = 60A, VGE = 15V, Note 1
TJ = 150C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
650 V
3.5 6.0 V
25 A
3 mA
100 nA
1.8 2.3 V
2.2 V
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100661(4/15)




IXYN75N65C3D1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYN75N65C3D1
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Fig. 7. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
150ºC
20 40 60 80 100 120 140 160 180
IC (A)
10,000
Fig. 9. Capacitance
1,000
Cies
Coes
100
10
0
f = 1 MHz
5 10
Cres
15 20
VCE (V)
25
30
35
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
1000
VCE(sat) Limit
40
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
VCE = 325V
IC = 60A
IG = 10mA
20
Fig. 8. Gate Charge
40 60 80
QG (nC)
100
120
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
160
140
120
100
80
60
40
20
0
100
TJ = 150ºC
RG = 3
dv / dt < 10V / ns
200 300
400
VCE (V)
500
600
700
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance (IGBT)
1
100
25µs
0.1
100µs
10
1 TJ = 175ºC
TC = 25ºC
Single Pulse
0.1
1
10 100
VDS (V)
0.01
1ms
10ms
DC
0.001
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

4페이지










IXYN75N65C3D1 전자부품, 판매, 대치품
IXYN75N65C3D1
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Fig. 23. Diode Forward Characteristics
TJ = 150ºC
TJ = 25ºC
0.5 1 1.5 2 2.5
VF (V)
Fig. 25. Reverse Recovery Current vs. -diF/dt
34
32
TJ = 150ºC
VR = 400V
50A
30
25A
28
26
24
22
IF = 100A
20
18
400
500
600
700
800
900
1000
1100
-diF/dt (A/µs)
Fig. 27. Dynamic Parameters QRR, IRR vs.
Junction Temperature
1.2
VR = 400V
1 I F = 50A
-dIF/dt = 700 A/µs
0.8
0.6
0.4 KF IRR
0.2 KF QRR
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ (ºC)
Fig. 24. Reverse Recovery Charge vs. -diF/dt
2.8
2.6 TJ = 150ºC
VR = 400V
2.4
IF = 100A
2.2 50A
2
1.8 25A
1.6
1.4
1.2
400
500
600
700
800
900
1000
1100
-diF/ dt (A/µs)
Fig. 26. Reverse Recovery Time vs. -diF/dt
240
220 TJ = 150ºC
VR = 400V
200
180
IF = 100A
160
140 50A
120
25A
100
80
400
500
600
700
800
900
1000
1100
-diF/dt (A/µs)
Fig. 28. Maximum Transient Thermal Impedance (Diode)
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: IXY_75N65C3D1(71-R47) 4-15-15-A

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