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IXYP10N65B3D1 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYP10N65B3D1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYP10N65B3D1 자료 제공

부품번호 IXYP10N65B3D1 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYP10N65B3D1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYP10N65B3D1 데이터시트, 핀배열, 회로
Advance Technical Information
XPTTM 650V IGBT
GenX3TM w/Diode
IXYP10N65B3D1
Extreme Light Punch Through
IGBT for 5-30kHz Switching
VCES = 650V
IC110 = 10A
VCE(sat)  1.95V
tfi(typ) = 30ns
TO-220
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
IIFC1M10
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
tsc
(SCSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 110°C
TTCC
= 110°C
= 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 50
Clamped Inductive Load
VGE = 15V, VCE = 400V, TJ = 150°C
RG = 150, Non Repetitive
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque
Maximum Ratings
650 V
650 V
±20 V
±30 V
32 A
10 A
9A
62 A
5A
50 mJ
ICM = 20
@VCE VCES
5
A
μs
160
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13/10
2.5
W
°C
°C
°C
°C
°C
Nm/lb.in.
g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC
=
10A,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
150C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
650 V
4.0 6.5 V
10 A
350 A
100 nA
1.74
2.00
1.95 V
V
GC E
Tab
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
Tab = Collector
Features
Optimized for 5-30kHz Switching
Square RBSOA
Avalanche Rated
Anti-Parallel Fast Diode
Short Circuit Capability
International Standard Package
Advantages
High Power Density
Extremely Rugged
Low Gate Drive Requirement
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
High Frequency Power Inverters
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100736(6/16)




IXYP10N65B3D1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYP10N65B3D1
Fig. 7. Transconductance
10
TJ = - 40ºC
9
8
25ºC
7
150ºC
6
5
4
3
2
1
0
0 4 8 12 16 20 24 28 32
IC - Amperes
16
14 VCE = 325V
IC = 10A
12 IG = 1mA
10
8
6
4
2
0
024
Fig. 8. Gate Charge
6 8 10 12 14 16 18 20
QG - NanoCoulombs
1,000
Fig. 9. Capacitance
Cies
100
Coes
10
Cres
f = 1 MHz
1
0 5 10 15 20 25 30 35 40
VCE - Volts
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
20
16
12
8
4 TJ = 150ºC
RG = 50
dv / dt < 10V / ns
0
11000 200 300 400 500 600
Fig. 13. Maximum TVrCaEn-sVieonlttsThermal Impedance
700
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
100
VCE(sat) Limit
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance (IGBT)
2 AAAAA
1
D = 0.5
10
25µs
D = 0.2
100µs
0.1 D = 0.1
D = tp / T
1
D = 0.05
tp
0.1
1
TJ = 175ºC
TC = 25ºC
Single Pulse
10
VDS - Volts
100
1ms
DC 10ms
1000
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
D = 0.02
D = 0.01
0.01 Single Pulse
1.E-07 1.E-06
T
1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02
Pulse Width - Second
1.E-01
1.E+00

4페이지










IXYP10N65B3D1 전자부품, 판매, 대치품
IXYP10N65B3D1
30
25
20
15
10
5
0
0
Fig. 22. Diode Forward Characteristics
TJ = 150ºC
TJ = 25ºC
0.5 1 1.5 2 2.5 3
VF (V)
Fig. 23. Reverse Recovery Charge vs. -diF/dt
0.9
0.8 TJ = 150ºC
VR = 400V
0.7
IF = 20A
0.6
10A
0.5
0.4
5A
0.3
0.2
100 200 300 400 500 600 700 800 900
-diF/ dt (A/µs)
Fig. 24 Reverse Recovery Current vs. -diF/dt
20
18 TJ = 150ºC
VR = 400V
16
14
IF = 20A
10A
5A
12
10
8
6
4
2
100 200 300 400 500 600 700 800 900
diF/dt (A/µs)
Fig. 26. Dynamic Parameters QRR, IRR vs.
Junction Temperature
1.1
1.0 VR = 400V
0.9 IF = 10A
-diF /dt = 200A/µs
0.8
0.7
0.6
0.5 KF IRR
0.4
0.3
0.2 KF QRR
0.1
0
20 40 60 80 100 120 140
TJ (ºC)
160
200
180
160
140
120
100
80
60
40
100
10
Fig. 25. Reverse Recovery Time vs. -diF/dt
TJ = 150ºC
VR = 400V
IF = 20A
10A
5A
F20ig0. 22. 3M0a0 ximu4m00 Tran5s0i0ent Th6e00rmal I7m00pedan80c0e
-diF(/Ddtio(Ad/eµ)s)
900
Fig. 27. Maximum Transient Thermal Impedance (Diode)
4 aaaa
D = 0.5
1
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = tp / T
tp
T
0.1
1.E-06
D = 0.02
D = 0.01
Single Pulse
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
Pulse Width - Second
1.E-01
1.E+00
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