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IXYP15N65C3D1M 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYP15N65C3D1M은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYP15N65C3D1M 자료 제공

부품번호 IXYP15N65C3D1M 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYP15N65C3D1M 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYP15N65C3D1M 데이터시트, 핀배열, 회로
XPTTM 650V IGBT
GenX3TM w/Diode
(Electrically Isolated Tab)
Preliminary Technical Information
IXYP15N65C3D1M
VCES = 650V
IC110 = 9A
VCE(sat)  2.5V
tfi(typ) = 28ns
Extreme Light Punch Through
IGBT for 20-60kHz Switching
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
IIFC1M10
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
tsc
(SCSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 110°C
TTCC
= 110°C
= 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 20
Clamped Inductive Load
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C
RG = 82, Non Repetitive
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque
Maximum Ratings
650 V
650 V
±20 V
±30 V
18 A
9A
13 A
80 A
5A
100 mJ
ICM = 30
@VCE VCES
8
A
μs
57
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13/10
2.5
W
°C
°C
°C
°C
°C
Nm/lb.in
g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC
=
15A,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
150C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
650 V
3.5 6.0 V
10 A
400 A
100 nA
1.96
2.45
2.50 V
V
OVERMOLDED TO-220
GCE
Isolated Tab
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
Features
Optimized for 20-60kHz Switching
Plastic Overmolded Tab for Electrical
Isolation
Square RBSOA
Avalanche Rated
Anti-Parallel Fast Diode
Short Circuit Capability
Advantages
High Power Density
Extremely Rugged
Low Gate Drive Requirement
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
High Frequency Power Inverters
© 2014IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100549B(7/14)




IXYP15N65C3D1M pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYP15N65C3D1M
11
10 VCE = 10V
9
8
7
Fig. 7. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
150ºC
6
5
4
3
2
1
0
0 5 10 15 20 25 30 35
IC - Amperes
16
14 VCE = 325V
I C = 15A
12 I G = 10mA
10
8
6
4
2
0
024
Fig. 8. Gate Charge
6 8 10 12 14 16 18 20
QG - NanoCoulombs
1,000
Fig. 9. Capacitance
Cies
100
Coes
f = 1 MHz
Cres
10
0
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE - Volts
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
35
30
25
20
15
10
5
0
100
TJ = 150ºC
RG = 20
dv / dt < 10V / ns
200 300
400
VCE - Volts
500
600
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance (IGBT)
10
700
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10 100
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

4페이지












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