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부품번호 | IXYH100N65C3 기능 |
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기능 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
제조업체 | IXYS | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
Preliminary Technical Information
XPTTM 650V IGBT
GenX3TM
Extreme Light Punch Through
IGBT for 20-60kHz Switching
IXYH100N65C3
VCES = 650V
IC110 = 100A
VCE(sat) 2.3V
tfi(typ) = 60ns
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
ILRMS
IC110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
tsc
(SCSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TC = 25°C ( Chip Capability )
Terminal Current Limit
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 3
Clamped Inductive Load
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C
RG = 10, Non Repetitive
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque
Maximum Ratings
650
650
±20
±30
V
V
V
V
200 A
160 A
100 A
420 A
50 A
600 mJ
ICM = 200
VCE VCES
7
A
μs
830
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13/10
6
W
°C
°C
°C
°C
°C
Nm/lb.in
g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC
=
70A,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
150C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
650 V
3.5 6.0 V
25 A
750 A
100 nA
1.8 2.3 V
2.2 V
TO-247
G
CE
G = Gate
E = Emitter
Tab
C = Collector
Tab = Collector
Features
Optimized for 20-60kHz Switching
Square RBSOA
Avalanche Rated
Short Circuit Capability
High Current Handling Capability
International Standard Package
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100561B(10/14)
IXYH100N65C3
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20 40
Fig. 7. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
150ºC
60 80 100 120 140 160 180 200
IC (A)
10,000
Fig. 9. Capacitance
1,000
Cies
Coes
100
Cres
f = 1 MHz
10
0
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE (V)
16
14 VCE = 325V
IC = 70A
12 IG = 10mA
10
8
6
4
2
0
0 20 40
Fig. 8. Gate Charge
60 80 100 120 140 160 180
QG (nC)
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
200
160
120
80
40 TJ = 150ºC
RG = 3Ω
dv / dt < 10V / ns
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
1000
VCE(sat) Limit
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance (IGBT)
1
100
25µs
0.1
100µs
10
1 TJ = 175ºC
TC = 25ºC
Single Pulse
1ms
10ms
DC
0.01
0.1
1
10
VDS (V)
100
1000
0.001
0.00001
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
0.0001
0.001
0.01
Pulse Width (s)
0.1
1
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