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IXYX100N65B3D1 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYX100N65B3D1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYX100N65B3D1 자료 제공

부품번호 IXYX100N65B3D1 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYX100N65B3D1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYX100N65B3D1 데이터시트, 핀배열, 회로
Advance Technical Information
XPTTM 650V IGBT
GenX3TM w/ Diode
IXYK100N65B3D1
IXYX100N65B3D1
Extreme Light Punch Through
IGBT for 10-30kHz Switching
VCES =
IC110 =
VCE(sat) 
tfi(typ) =
650V
100A
1.85V
73ns
TO-264 (IXYK)
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
ILRMS
IC110
IF110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
tsc
(SCSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
FC
Weight
Test Conditions
Maximum Ratings
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
650 V
650 V
±20 V
±30 V
TC = 25°C (Chip Capability)
Terminal Current Limit
TC = 110°C
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 3
Clamped Inductive Load
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C
RG = 10, Non Repetitive
TC = 25°C
225
160
100
67
460
50
600
ICM = 200
@VCE VCES
8
830
-55 ... +175
175
-55 ... +175
A
A
A
A
A
A
mJ
A
μs
W
°C
°C
°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque (TO-264)
Mounting Force (PLUS247)
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
°C
°C
Nm/lb.in
N/lb
TO-264
PLUS247
10 g
6g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150°C
IGES VCE = 0V, VGE = ±20V
VCE(sat)
IC = 70A, VGE = 15V, Note 1
TJ = 150°C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
650 V
3.5 6.0 V
50 μA
3 mA
±100 nA
1.53
1.77
1.85 V
V
G
C
E
PLUS247 (IXYX)
Tab
G
G
C
E
Tab
G = Gate
C = Collector
E = Emitter
Tab = Collector
Features
International Standard Packages
Optimized for 10-30kHz Switching
Square RBSOA
Avalanche Rated
Short Circuit Capability
Anti-Parallel Ultra Fast Diode
High Current Handling Capability
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100633(10/14)




IXYX100N65B3D1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYK100N65B3D1
IXYX100N65B3D1
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
Fig. 7. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
150ºC
20 40 60 80 100 120 140 160
IC (A)
10,000
Fig. 9. Capacitance
1,000
Cies
Coes
100
Cres
f = 1 MHz
10
0
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE (V)
16
14 VCE = 325V
IC = 70A
12 IG = 10mA
10
8
6
4
2
0
0 20 40
Fig. 8. Gate Charge
60 80 100 120 140 160 180
QG (nC)
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
200
160
120
80
40 TJ = 150ºC
RG = 3
dv / dt < 10V / ns
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE (V)
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
1000
VCE(sat) Limit
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance (IGBT)
1
100
25µs
0.1
100µs
10
1
0.1
1
TJ = 175ºC
TC = 25ºC
Single Pulse
10
VDS (V)
100
1ms 0.01
10ms
DC
1000
0.001
0.00001
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
0.0001
0.001
0.01
Pulse Width (s)
0.1
1

4페이지










IXYX100N65B3D1 전자부품, 판매, 대치품
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
Fig. 23. Diode Forward Characteristics
TJ = 150ºC
TJ = 25ºC
0.5 1 1.5 2 2.5
VF (V)
3
Fig. 25. Reverse Recovery Current vs. -diF/dt
50
45 TJ = 150ºC
VR = 400V
IF = 100A
75A
50A
40
35
30
25
20
15
200 300 400 500 600 700 800 900 1000
diF/dt (A/µs)
Fig. 27. Dynamic Parameters QRR, IRR vs.
Junction Temperature
1.2
VR = 400V
1 I F = 100A
-dIF/dt = 700A/µs
0.8
0.6
0.4
KF IRR
0.2 KF QRR
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ (ºC)
IXYK100N65B3D1
IXYX100N65B3D1
Fig. 24. Reverse Recovery Charge vs. -diF/dt
3.8
3.6 TJ = 150ºC
3.4 VR = 400V
IF = 100A
75A
3.2 50A
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
200 300 400 500 600 700 800 900
-diF/ dt (A/µs)
1000
210
200
190
180
170
160
150
140
130
200
Fig. 26. Reverse Recovery Time vs. -diF/dt
TJ = 150ºC
VR = 400V
IF = 100A
75A
50A
300 400 500 600 700 800 900 1000
-diF/dt (A/µs)
Fig. 28. Maximum Transient Thermal Impedance (Diode)
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: IXY_100N65B3(7D-Y42) 10-14-14

7페이지


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