Datasheet.kr   

BT131-600D 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BT131-600D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BT131-600D 자료 제공

부품번호 BT131-600D 기능
기능 4Q Triac
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BT131-600D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 13 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BT131-600D 데이터시트, 핀배열, 회로
BT131-600D
4Q Triac
6 May 2015
Product data sheet
1. General description
Planar passivated very sensitive gate four quadrant triac in a SOT54 plastic package.
This very sensitive gate "series D" triac is intended for interfacing with low power drivers
including microcontrollers.
2. Features and benefits
Direct interfacing to logic level ICs
Direct interfacing with low power gate drivers and microcontrollers
High blocking voltage capability
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability
Very sensitive gate
Triggering in all four quadrants
3. Applications
Air conditioner indoor fan control
General purpose low power motor control
General purpose switching and phase control
4. Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
VDRM
repetitive peak off-
state voltage
ITSM non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;
state current
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5
IT(RMS)
RMS on-state current full sine wave; Tlead ≤ 51 °C; Fig. 1;
Fig. 2; Fig. 3
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-;
Tj = 25 °C; Fig. 7
Min Typ Max Unit
- - 600 V
- - 12.5 A
- - 1A
- - 5 mA
- - 5 mA
- - 5 mA
Scan or click this QR code to view the latest information for this product




BT131-600D pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
1.5
Ptot
(W)
1
α
α
0.5
BT131-600D
4Q Triac
003aab038 35
α =180°
120°
90°
60°
30°
Tlead(max)
(°C)
65
95
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
α = conduction angle
Fig. 3. Total power dissipation as a function of RMS on-state current; maximum values
IT(RMS) (A)
125
1.2
16
ITSM
(A)
12
003aab041
IT ITSM
t
T
Tj = 25 °C max
8
4
0
1 10 102 103
n
f = 50 Hz
Fig. 4. Non-repetitive peak on-state current as a function of the number of sinusoidal current cycles; maximum
values
BT131-600D
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
6 May 2015
© NXP Semiconductors N.V. 2015. All rights reserved
4 / 13

4페이지










BT131-600D 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
BT131-600D
4Q Triac
9. Characteristics
Table 6. Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G+;
Tj = 25 °C; Fig. 7
IL
latching current
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2+ G+;
Tj = 25 °C; Fig. 8
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2+ G-;
Tj = 25 °C; Fig. 8
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2- G-;
Tj = 25 °C; Fig. 8
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2- G+;
Tj = 25 °C; Fig. 8
IH
holding current
VD = 12 V; Tj = 25 °C; Fig. 9
VT
on-state voltage
IT = 1.4 A; Tj = 25 °C; Fig. 10
VGT
gate trigger voltage
VD = 12 V; IT = 0.1 A; Tj = 25 °C;
Fig. 11
VD = 400 V; IT = 0.1 A; Tj = 125 °C;
Fig. 11
ID
off-state current
VD = 600 V; Tj = 125 °C
Dynamic characteristics
dVD/dt
rate of rise of off-state
voltage
VDM = 402 V; Tj = 125 °C; RGT1 = 1 kΩ;
(VDM = 67% of VDRM); exponential
waveform
dVcom/dt
rate of change of
commutating voltage
VD = 400 V; Tj = 125 °C; dIcom/
dt = 0.5 A/ms; IT = 1 A; gate open
circuit
tgt gate-controlled turn-on ITM = 1.5 A; VD = 600 V; IG = 0.1 A; dIG/
time dt = 5 A/µs
Min Typ Max Unit
- - 5 mA
- - 5 mA
- - 5 mA
- - 7 mA
- - 10 mA
- - 20 mA
- - 10 mA
- - 10 mA
-
1.3 10
mA
- 1.2 1.5 V
-
0.7 1
V
0.2 0.3 -
V
- 0.1 0.5 mA
20 - - V/µs
3 - - V/µs
- 2 - µs
BT131-600D
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
6 May 2015
© NXP Semiconductors N.V. 2015. All rights reserved
7 / 13

7페이지


구       성 총 13 페이지수
다운로드[ BT131-600D.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BT131-600

4Q Triac

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BT131-600

Sensitive Gate Triacs

HAOPIN
HAOPIN

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵