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부품번호 | IRF132 기능 |
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기능 | N-Channel MOSFET Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
IRF132
DESCRIPTION
·Drain Current ID=12A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) =0.25Ω(Max)
·High Power,High Speed Applications
APPLICATIONS
·Switching power supplies
·UPS
·Motor controls
·High energy pulse circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
ID
Ptot
Tj
Tstg
Drain-Source Voltage (VGS=0)
Gate-Source Voltage
100
±20
V
V
Drain Current-continuous@ TC=25℃ 12 A
Total Dissipation@TC=25℃
75 W
Max. Operating Junction Temperature
150
℃
Storage Temperature Range
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.67 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ IRF132.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
IRF130 | N-CHANNEL POWER MOSFETS | Samsung semiconductor |
IRF130 | N-CHANNEL POWER MOSFET | Seme LAB |
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