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86T02GH-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 86T02GH-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 86T02GH-HF 자료 제공

부품번호 86T02GH-HF 기능
기능 AP86T02GH-HF
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


86T02GH-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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86T02GH-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP86T02GH/J-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Simple Drive Requirement
Low On-resistance
Fast Switching Characteristic
RoHS Compliant
G
D
S
BVDSS
RDS(ON)
ID
25V
6mΩ
75A
Description
The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial
surface mount applications and suited for low voltage applications
such as DC/DC converters. The through-hole version (AP86T02GJ) is
available for low-profile applications.
G D S TO-252(H)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V3
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
TSTG
Storage Temperature Range
TJ Operating Junction Temperature Range
G
D
S
Rating
25
+20
75
62
300
75
0.5
-55 to 175
-55 to 175
TO-251(J)
Units
V
V
A
A
A
W
W/
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Value
2
110
Units
/W
/W
1
200808159




86T02GH-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP86T02GH/J-HF
16
I D =30A
12
V DS =10V
V DS =15V
8 V DS =20V
4
0
0 10 20 30 40 50
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
1000
100
1ms
10
T c =25 o C
Single Pulse
10ms
100ms
1s
DC
1
0.1 1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
120
V DS =5V
80
T j =25 o C
T j =175 o C
40
0
024
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Transfer Characteristics
6
f=1.0MHz
10000
C iss
1000
C oss
C rss
100
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
40
2.8V 3V 3.2V
30
3.5V
3.8V
20
4.2V
10 4.5V
10V
0
0 20 40 60 80 100
I D (A)
Fig 12. Drain-Source On Resistance
4

4페이지












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