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SST271 데이터시트 PDF




Vishay에서 제조한 전자 부품 SST271은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SST271 자료 제공

부품번호 SST271 기능
기능 P-Channel JFETs
제조업체 Vishay
로고 Vishay 로고


SST271 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SST271 데이터시트, 핀배열, 회로
P-Channel JFETs
PRODUCT SUMMARY
Part Number
J/SST270
J/SST271
VGS(off) (V)
0.5 to 2.0
1.5 to 4.5
V(BR)GSS Min (V)
30
30
gfs Min (mS)
6
8
IDSS Min (mA)
–2
–6
J/SST270 Series
Vishay Siliconix
J270
J271
SST270
SST271
FEATURES
D Low Cutoff Voltage: J270 <2 V
D High Input Impedance
D Very Low Noise
D High Gain
BENEFITS
D Full Performance from Low-Voltage Power
Supply: Down to 2 V
D Low Signal Loss/System Error
D High System Sensitivity
D High-Quality, Low-Level Signal Amplification
APPLICATIONS
D High-Gain, Low-Noise Amplifiers
D Low-Current, Low-Voltage Battery
Amplifiers
D Ultrahigh Input Impedance Pre-Amplifiers
D High-Side Switching
DESCRIPTION
The J/SST270 series consists of all-purpose amplifiers for
designs requiring p-channel operation.
The TO-226AA (TO-92) plastic package provides a low-cost
option, while the TO-236 (SOT-23) package
provides surface-mount capability. Both the J and SST series
are available in tape-and-reel for automated assembly (see
Packaging Information).
TO-226AA
(TO-92)
D1
G2
S3
Top View
J270
J271
TO-236
(SOT-23)
D1
S2
3G
Top View
SST270 (S0)*
SST271 (S1)*
*Marking Code for TO-236
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V
Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50 mA
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C
Document Number: 70258
S-04233—Rev. D, 02-Jul-01
Lead Temperature (1/16” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300_C
Power Dissipationa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350 mW
Notes
a. Derate 2.8 mW/_C above 25_C
www.vishay.com
8-1




SST271 pdf, 반도체, 판매, 대치품
J/SST270 Series
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Transconductance vs. Drain Current
100
VGS(off) = 3 V
VDS = 15 V
f = kHz
Output Conductance vs. Drain Current
100
VGS(off) = 3 V
TA = 55_C
10 25_C
TA = 55_C
10 25_C
125_C
125_C
1
0.1
1
ID Drain Current (mA)
10
On-Resistance vs. Drain Current
250
TA = 25_C
200
VGS(off) = 1.5 V
150
3V
100
5V
50
0
1
100
10
ID Drain Current (mA)
Noise Voltage vs. Frequency
100
ID = 0.1 mA
1 mA
10
VDS = 10 V
1
10 100 1 k 10 k
f Frequency (Hz)
www.vishay.com
8-4
100 k
1
0.1
VDS = 15 V
f = kHz
1
ID Drain Current (mA)
On-Resistance vs. Temperature
300
ID = 1 mA
rDS changes X 0.7%/_C
240
10
180 VGS(off) = 1.5 V
3V
120 5 V
60
0
55 35 15 5 25 45 65 85 105 125
TA Temperature (_C)
100 nA
Gate Leakage Current
10 nA
1 nA
TA = 125_C
1 mA
ID = 10 mA
100 pA
IGSS @ 125_C
10 pA
TA = 25_C
10 mA
1 pA
1 mA
IGSS @ 25_C
0.1 pA
0
10 20 30 40
VDG Drain-Gate Voltage (V)
50
Document Number: 70258
S-04233Rev. D, 02-Jul-01

4페이지












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