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부품번호 | KSD526 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
KSD526
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Collector Power Dissipation-
: PC= 30W(Max)@ TC= 25℃
·Complement to Type KSB596
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
·Recommended for 20~25W high fidelity audio frequency
amplifier output stage applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
80
80
5
4
0.4
30
150
-55~150
V
V
V
A
A
W
℃
℃
isc website:www.iscsemi.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ KSD526.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KSD526 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
KSD526 | Power Amplifier Applications | Fairchild Semiconductor |
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