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HVV1012-250 데이터시트 PDF




HVVi에서 제조한 전자 부품 HVV1012-250은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HVV1012-250 자료 제공

부품번호 HVV1012-250 기능
기능 Power Transistor
제조업체 HVVi
로고 HVVi 로고


HVV1012-250 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HVV1012-250 데이터시트, 핀배열, 회로
The innovative Semiconductor Company!
HVV1012-250 High Voltage, High Ruggedness
TM L-Band Avionics Pulsed Power Transistor
1025-1150 MHz, 10μs Pulse, 1% Duty Cycle
For Airborne DME, TCAS and IFF Applications
Features
• Silicon MOSFET Technology
• Operation from 24V to 50V
• High Power Gain
• Extreme Ruggedness
• Internal Input and Output Matching
• Excellent Thermal Stability
• All Gold Bonding Scheme
TYPICAL PERFORMANCE
High voltage vertical technology is well suited for high power pulsed applications in the
L-Band including Airborne DME, IFF, TCAS and Mode-S applications.
MODE
FREQUENCY
(MHz)
VDD
(V)
IDQ Power GAIN EFFICIENCY IRL
(mA) (W) (dB)
(%) (dB)
Class AB
1150
50 100 250 19.5 48 20:1
Table 1: Typical RF Performance in broadband text fixture at 25°C temperature with RF pulse conditions of
pulse width = 10μs and pulse period = 1ms.
DESCRIPTION
The high power HVV1012-250 device is an enhancement mode RF MOSFET power transistor designed
for pulsed applications in the L-Band from 1025MHz to 1150MHz. The high voltage HVVFET™ technology
produces over 250W of pulsed output power while offering high gain,high efficiency,and ease of matching
with a 50 V supply. The vertical device structure assures high reliability and ruggedness as the device is
specified to withstand a 20:1 VSWR at all phase angles under full rated output power.
ORDERING INFORMATION
Device Part Number: HVV1012-250
Demo Kit Part Number: HVV1012-250-EK
Available through Richardson Electronics (http://rfwireless.rell.com/)
HVVi Semiconductors, Inc.
10235 S. 51st St. Suite 100
Phoenix, AZ. 85044
ISO 9001:2000 Certified
Tel: (866) 429-HVVi (4884) or visit www.hvvi.com
© 2008 HVVi Semiconductors, Inc. All Rights Reserved.
EG-01-DS09A
12/11/08
1




HVV1012-250 pdf, 반도체, 판매, 대치품
HVV1012-250 High Voltage, High Ruggedness
L-Band Avionics Pulsed Power Transistor
1F0o2r5AHL--1iVBr1bVa5no10dr0n1AMe2v-iHD2o5nzM0i,c1sHE0P,iµguTThslhCsTMVeePAdiounSlPnltsoaoaevgwn,aeLHedt,1-riVBvH%IaTeVFinrS1gadDFe0hnmA1usRAv2iitcisup-oyot2nognp5Cirgdlc0ieuyscdHccPatnulioteglerissoheCsdnoVmsPooplwatenarygT! rea,nHsiisgtohr Ruggedness
1025-1150 MHz, 10µs Pulse,110%25-D11u5ty0 CMyHczl,e10μs Pulse, 1% Duty Cycle
 For Airborne DME, TCAS anFdorIFAiFrbAoprnpeliDcMatEio, TnCsAS and IFF Applications
Demonstration Board Outline
Demonstration Circuit Board Picture
(AutoCAD FilesDefomroDnsetrmatioonsBtoraartdioOnutBlinoeard availableDoemnloinsetraattiown wCiwrcu.hitvBvoia.crdoPmic/tpurreoducts)
(ADuetmoCoAnsDtrFailteiosnfoBroDaermd oOnusttlrinateion Board availableDoenmlinoenasttrwawtiown.hCvivric.cuoitmB/oparordduPcitcst)ure
(AutoCAD Files for Demonstration Board available online at www.hvvi.com/products)
HVV1012-250 Demonstration Circuit Board Bill of Materials
HVV10H1VV21-021520-2D50eDmeomnosntsrtaratitoionn CCirirccuuitiBt oBaordaBrdill BofilMl oatfeMriaalsterials
HVVi Semiconductors, Inc.
HV1V02i 3S5emS. i5c1osnt Sdtu. Scutoiters1,0In0 c.
HVV1i 0SP2eh3mo5einSci.ox5n,1Adsuzt.cS8tto5. 0rSs4u,4iItenc1.00
10235PhSo.e5n1ixst,SAtZ. .S8u5i0te44100
Phoenix, Az. 85044
ISO 9001:2000 Certified
Tel: (866) 4I2S9O-H9V0V0i1(:42808040) oCrevritsiiftiewdww.hvvi.com
T©el:2(080686H) 4V2V9i-SHIeSVmOViic9o(4n08d08u1c4:t)2oo0rsr0, v0InisCci.teAwrtllwifRiweigd.hhvtsvRi.ceosemrved.
© 2T0e0l8: H(8V6V6i)S4e2m9i-cHoVndVuic(t4o8rs8,4In)co. Ar lvl iRsiigt hwtws Rwe.shevrvei.dco. m
© 2008 HVVi Semiconductors, Inc. All Rights Reserved.
EG-01-DS09A
EG1-20/112-D/0S809A
12E/1G41-/0018-DS09A
412/12/08
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