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부품번호 | BUL741 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUL741
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Breakdown Voltage
: V(BR)CEO = 400V(Min.)
·Collector Saturation Voltage
: VCE(sat) = 0.5V(Max) @ IC= 0.7A
APPLICATIONS
·Designed for electronic lamp ballast circuits switch-mode
power supplies applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCES Collector-Emitter Voltage
1050
V
VCEO Collector-Emitter Voltage
400 V
VEBO Emitter-Base Voltage
15 V
IC Collector Current-Continuous
2.5 A
ICM Collector Current-peak
5A
IB Base Current-Continuous
1.5 A
IBM Base Current-peak
PC
Collector Power Dissipation
TC=25℃
Ti Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
3
60
150
-65~150
A
W
℃
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
2.08 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUL741 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
BUL741 | High voltage fast-switching NPN Power Transistor | STMicroelectronics |
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