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부품번호 | BUS131H 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUS131H
DESCRIPTION
·High Switching Speed
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 450V (Min)
APPLICATIONS
·Designed for use in very fast switching applications in
inductive circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
VCES
Collector- Emitter Voltage (VBE= 0)
850
V
VCEO Collector-Emitter Voltage
450 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
9V
IC Collector Current-Continuous
5A
ICM Collector Current-Peak
10 A
IB Base Current
4A
IBM Base Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
8
125
200
-65~200
A
W
℃
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 1.4 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUS131 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
BUS131A | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
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