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부품번호 | BUX66C 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
isc Product Specification
BUX66B/C
DESCRIPTION
·Contunuous Collector Current-IC= -2A
·Power Dissipation-PD= 35W @TC= 25℃
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -2.5V(Max)@ IC = -1A
APPLICATIONS
·Designed for high-speed switching and linear amplifier appli-
cation for high-voltage operational amplifiers, switching regu-
lators, converters,deflection stages and high fidelity amplifiers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
BUX66B
BUX66C
-350
-400
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
BUX66B
BUX66C
-300
-350
V
VEBO
IC
ICP
IB
PC
TJ
Tstg
Emitter-Base Voltage
-6 V
Collector Current-Continuous
-2.0 A
Collector Current-Peak
-5.0 A
Base Current
-1.0 A
Collector Power Dissipation@TC=25℃
Junction Temperature
35
200
W
℃
Storage Temperature
-65~200 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
MAX UNIT
5.0 ℃/W
isc website:www.iscsemi.cn
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUX66 | Bipolar PNP Device | Seme LAB |
BUX66 | Trans GP BJT PNP 150V 2A | New Jersey Semiconductor |
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