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P75NS04Z 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 P75NS04Z은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P75NS04Z 자료 제공

부품번호 P75NS04Z 기능
기능 STP75NS04Z
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


P75NS04Z 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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P75NS04Z 데이터시트, 핀배열, 회로
STP75NS04Z
N-channel Clamped - 7m- 80A - TO-220
Fully protected MESH Overlay™ III Power MOSFET
General features
Type
STP75NS04Z
VDSS
Clamped
RDS(on)
< 11m
ID
80A
Low capacitance and gate charge
100% avalanche tested
175°C maximum junction temperature
Description
This fully clamped MOSFET is produced by using
the latest advanced Company’s Mesh Overlay
process which is based on a novel strip layout.
The inherent benefits of a new technology
coupled with the extra clamping capabilities make
this product particularly suitable for the harshest
operation conditions such as those encoured in
power tools. Any other application requiring extra
ruggedness is also recommended.
Applications
Switching application
Power tools
3
2
1
TO-220
Internal schematic diagram
Order codes
Part number
STP75NS04Z
Marking
P75NS04Z
Package
TO-220
Packaging
Tube
June 2006
Rev 1
1/12
www.st.com
12




P75NS04Z pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STP75NS04Z
(TCASE=25°C unless otherwise specified)
Table 4. On/off states
Symbol
Parameter
V(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
IDSS
Zero gate voltage drain
current (VGS = 0)
IGSS
Gate body leakage current
(VDS = 0)
VGSS
Gate threshold breakdown
voltage
VGS(th) Gate threshold voltage
RDS(on)
Static drain-source on
resistance
Test condictions
ID = 1mA, VGS= 0
VDS = 16V
VGS = ±10V
IGS= ±100µA
VDS= VGS, ID = 250µA
VGS= 10V, ID= 40A
Table 5. Dynamic
Symbol
Parameter
Test condictions
gfs (1) Forward transconductance VDS =15V, ID = 15A
Ciss
Coss
Crss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
VDS = 25V, f = 1 MHz,
VGS =0
Qg Total gate charge
Qgs Gate-source charge
Qgd Gate-drain charge
VDD= 20V, ID= 80 A,
VGS= 10 V
(see Figure 13)
1. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5%
Min. Typ. Max. Unit
33 V
1 µA
2 µA
18 V
23 4V
7 11 m
Min. Typ. Max. Unit
50 S
1860
628
196
pF
pF
pF
50 nC
14 nC
16 nC
4/12

4페이지










P75NS04Z 전자부품, 판매, 대치품
STP75NS04Z
Electrical characteristics
Figure 7. Gate charge vs gate-source voltage Figure 8. Capacitance variations
Figure 9. Normalized gate threshold voltage Figure 10. Normalized on resistance vs
vs temperature
temperature
Figure 11. Source-drain diode forward
characteristics
7/12

7페이지


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