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Número de pieza | NTE2362 | |
Descripción | Silicon Complementary Transistors | |
Fabricantes | NTE | |
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No Preview Available ! NTE2361 (NPN) & NTE2362 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Speed Switch
Description:
The NTE2361 (NPN) and NTE2362 (PNP) complimentary silicon transistors are designed for gener-
al–purpose amplifier and high speed switching applications. The high gain of these devices makes
it possible for them to be driven directly from integrated circuits.
Features:
D Very Small–Sized Package
D High Breakdown Voltage: VCEO = 50V
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Note 1. For PNP device (NTE2362), voltage and current values are negative.
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
ICBO
IEBO
hFE
fT
VCB = 40Vdc, IE = 0
VBE = 4Vdc
VCE = 5V, IC = 10mA
VCE = 10V,
IC = 50mA
NTE2361
NTE2362
Min Typ Max Unit
– – 0.1 µA
– – 0.1 µA
200 – 400
– 200 – MHz
– 300 – MHz
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PDF Descargar | [ Datasheet NTE2362.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE236 | Silicon NPN Transistor Final RF Power Output (PO = 16W / 27MHz / SSB) | NTE |
NTE2360 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
NTE2361 | Silicon Complementary Transistors High Speed Switch | NTE |
NTE2362 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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