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NTE2364 데이터시트 PDF




NTE에서 제조한 전자 부품 NTE2364은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NTE2364 자료 제공

부품번호 NTE2364 기능
기능 Silicon Complementary Transistors
제조업체 NTE
로고 NTE 로고


NTE2364 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NTE2364 데이터시트, 핀배열, 회로
NTE2363 (NPN) & NTE2364 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
High Current General Purpose Amp/Switch
Features:
D Low Saturation Voltage
D Large Current Capacity and Wide ASO
Applications:
D Power Supplies
D Relay Drivers
D Lamp Drivers
D Automotive Wiring
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Allowable Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Ambient Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Note 1 For PNP device (NTE2364), voltage and current values are negative.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
ICBO
IEBO
hFE (1)
hFE (2)
fT
VCB = 50V, IE = 0
VEB = 4V, IC = 0
VCE = 2V, IC = 100mA
VCE = 2V, IC = 1.5A
VCE = 10V, IC = 50mA
Min Typ Max Unit
– – 0.1 µA
– – 0.1 µA
200 – 400
40 – –
– 150 – MHz





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