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부품번호 | D478 기능 |
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기능 | AOD478 | ||
제조업체 | Alpha & Omega Semiconductors | ||
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전체 6 페이지수
AOD478/AOI478
100V N-Channel MOSFET
General Description
The AOD478/AOI478 combines advanced trench
MOSFET technology with a low resistance package to
provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for
boost converters and synchronous rectifiers for
consumer, telecom, industrial power supplies and LED
backlighting.
Product Summary
VDS
ID (at VGS=10V)
RDS(ON) (at VGS=10V)
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
100V
11A
< 140mΩ
< 152mΩ
Top View
TO252
DPAK
Bottom View
D
D
Top View
TO251A
IPAK
Bottom View
D
S
G
G
S
S
D
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Maximum
Drain-Source Voltage
VDS 100
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain
TC=25°C
Current
TC=100°C
Pulsed Drain Current C
ID
IDM
11
8
24
Continuous Drain
TA=25°C
Current
TA=70°C
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
IDSM
IAS, IAR
EAS, EAR
2.5
2
10
5
TC=25°C
Power Dissipation B TC=100°C
PD
45
23
TA=25°C
Power Dissipation A TA=70°C
PDSM
2.1
1.3
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 175
G
D
S
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
Symbol
RθJA
RθJC
Typ
17
55
2.7
Max
25
60
3.3
G
S
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Rev 1: Nov. 2011
www.aosmd.com
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AOD478/AOI478
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
VDS=50V
ID=4.5A
8
6
700
600
Ciss
500
400
4 300
200
2
Coss
Crss
100
0
0 2 4 6 8 10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
12
0
0 20 40 60 80
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100
100.0
10µs
10.0 10µs
RDS(ON)
1.0 limited
DC
0.1 TJ(Max)=175°C
TC=25°C
100µs
1ms
10ms
0.0
0.01
0.1
1 10
VDS (Volts)
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
1000
400
360 TJ(Max)=175°C
320 TC=25°C
280
240 17
200 5
160 2
120 10
80
40
0
0.0001 0.001 0.01
0.1
1 0 10
Figure
10:
Single
Pulse
Pulse
WPoidwther(Rs)ating18Junction-to-
Case (Note F)
10
D=Ton/T
TJ,PK=TC+PDM.ZθJC.RθJC
1 RθJC=3.3°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
40
0.1
0.01
Single Pulse
0.00001
0.0001
0.001
0.01
PD
Ton
T
0.1
1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
10
Rev 1: Nov. 2011
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