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IXXH30N60C3 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXXH30N60C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IXXH30N60C3 자료 제공

부품번호 IXXH30N60C3 기능
기능 600V IGBTs
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXXH30N60C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXXH30N60C3 데이터시트, 핀배열, 회로
XPTTM 600V IGBT
GenX3TM
IXXH30N60C3
Extreme Light Punch Through
IGBT for 20-60 kHz Switching
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
tsc
(SCSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 10
Clamped Inductive Load
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C
RG = 82, Non Repetitive
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque
Maximum Ratings
600 V
600 V
±20 V
±30 V
60 A
30 A
110 A
20 A
250 mJ
ICM = 48
@VCE VCES
10
A
μs
270
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13/10
6
W
°C
°C
°C
°C
°C
Nm/lb.in.
g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC
=
24A,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
150C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600 V
3.5 6.0 V
25 A
250 μA
100 nA
1.85
2.30
2.40 V
V
VCES = 600V
IC110 = 30A
VCE(sat)  2.4V
tfi(typ) = 32ns
TO-247
G
CE
G = Gate
E = Emitter
Tab
C = Collector
Tab = Collector
Features
Optimized for 20-60kHz Switching
Square RBSOA
Avalanche Capability
Short Circuit Capability
International Standard Package
Advantages
High Power Density
175°C Rated
Extremely Rugged
Low Gate Drive Requirement
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100574A(9/15)




IXXH30N60C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXXH30N60C3
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
Fig. 7. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
150ºC
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
IC - Amperes
16
VCE = 300V
14 IC = 24A
12 IG = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
QG - NanoCoulombs
10,000
f = 1 MHz
Fig. 9. Capacitance
1,000
100
Cies
Coes
10
0
Cres
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE - Volts
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
55
50
45
40
35
30
25
20
15
TJ = 150ºC
10 RG = 10
5 dv / dt < 10V / ns
0
100 200 300 400 500 600
VCE - Volts
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
1000
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
1
VCE(sat) Limit
100
10
25µs
100µs
0.1
0.01
1
0.1
1
TJ = 175ºC
TC = 25ºC
Single Pulse
10
VDS - Volts
100
1ms
DC 10ms
1000
0.001
0.00001
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
0.0001
0.001
0.01
Pulse Width - Second
0.1
1

4페이지












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