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IXYA20N65C3D1 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYA20N65C3D1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYA20N65C3D1 자료 제공

부품번호 IXYA20N65C3D1 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYA20N65C3D1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYA20N65C3D1 데이터시트, 핀배열, 회로
XPTTM 650V IGBT
GenX3TM w/Diode
IXYA20N65C3D1
IXYP20N65C3D1
Extreme Light Punch Through
IGBT for 20-60kHz Switching
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
IF110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
tsc
(SCSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
FC
Weight
Test Conditions
Maximum Ratings
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
650 V
650 V
±20 V
±30 V
TC = 25°C
TTCC
= 110°C
= 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 20
Clamped Inductive Load
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C
RG = 82, Non Repetitive
TC = 25°C
50
20
18
105
10
200
ICM = 40
VCE VCES
10
200
-55 ... +175
175
-55 ... +175
A
A
A
A
A
mJ
A
μs
W
°C
°C
°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
300 °C
260 °C
Mounting Torque (TO-220)
Mounting Force (TO-263)
1.13/10
10..65 / 2.2..14.6
Nm/lb.in
N/lb
TO-263
TO-220
2.5 g
3.0 g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC = 20A, VGE = 15V, Note 1
TJ = 150C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
650 V
3.5 6.0 V
10 A
400 A
100 nA
2.27
2.44
2.50 V
V
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
VCES = 650V
IC110 = 20A
VCE(sat)  2.50V
tfi(typ) = 28ns
TO-263 AA (IXYA)
G
E
C (Tab)
TO-220AB (IXYP)
GC E
C (Tab)
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
Tab = Collector
Features
Optimized for 20-60kHz Switching
Square RBSOA
Avalanche Rated
Anti-Parallel Fast Diode
Short Circuit Capability
International Standard Packages
Advantages
High Power Density
Extremely Rugged
Low Gate Drive Requirement
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
High Frequency Power Inverters
DS100576C(3/15)




IXYA20N65C3D1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
16
14 VCE = 10V
12
10
Fig. 7. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
150ºC
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
IC - Amperes
10,000
f = 1 MHz
1,000
Fig. 9. Capacitance
Cies
IXYA20N65C3D1
IXYP20N65C3D1
16
14 VCE = 325V
IC = 20A
12 IG = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 4 8 12 16 20 24 28 32
QG - NanoCoulombs
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
40
30
Coes
100
10
0
1000
Cres
5 10 15 20 25 30 35
VCE - Volts
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
40
VCE(sat) Limit
100
20
10 TJ = 150ºC
RG = 20
dv / dt < 10V / ns
0
100 200 300 400 500 600 700
VCE - Volts
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance (IGBT)
1
D = 0.5
D = 0.2
10
25µs
0.1
D = 0.1
100µs
D = 0.05
1
0.1
1
TJ = 175ºC
TC = 25ºC
Single Pulse
10
VDS - Volts
100
1ms
10ms
DC
1000
D = 0.02
D = 0.01
Single Pulse
0.01
1.E-06
1.E-05
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
D = tp / T
tp
T
1.E-04
1.E-03
1.E-02
Pulse Width - Second
1.E-01
1.E+00

4페이지










IXYA20N65C3D1 전자부품, 판매, 대치품
IXYA20N65C3D1
IXYP20N65C3D1
Fig. 24 Reverse Recovery Current vs. -diF/dt
26
24 TJ = 150ºC
VR = 400V
22 IF = 40A
20A
10A
20
18
16
14
12
10
8
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400
diF/dt (A/µs)
Fig. 26. Dynamic Parameters QRR, IRR vs.
Junction Temperature
1.1
1.0 VR = 400V
0.9 IF = 20A
-diF /dt = 300A/µs
0.8
0.7
0.6
0.5 KF IRR
0.4
0.3
0.2 KF QRR
0.1
0
20 40 60 80 100 120
TJ (ºC)
Fig. 28. Cauer Thermal Network
140
160
Fig. 25. Reverse Recovery Time vs. -diF/dt
180
TJ = 150ºC
160 VR = 400V
140
IF = 40A
120
20A
100
80
10A
60
200
10
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
Fig. 13. Maximum -TdriFa/ndts(iAe/nµts)Thermal Impedance
Fig. 27. Maximum Transient Thermal Impedance (Diode)
4 AAAAA
1 D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
0.1 D = 0.01
Single Pulse
D = tp / T
tp
T
0.01
1.E-06
i
1
2
3
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
Pulse Width - Second
IGBT
Ri (°C/W)
0.170320
0.136990
0.090011
Ci (J/°C)
0.0017715
0.0166820
0.0391660
1.E-01
1.E+00
DIODE
i Ri (°C/W)
1 0.331730
2 0.768860
3 0.285550
Ci (J/°C)
0.0002858
0.0037423
0.0432130
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: IXY_20N65C3(3D) 01-21-15-B

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