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IXYT30N450HV 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYT30N450HV은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYT30N450HV 자료 제공

부품번호 IXYT30N450HV 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYT30N450HV 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYT30N450HV 데이터시트, 핀배열, 회로
High Voltage XPTTM
IGBT
Advance Technical Information
IXYT30N450HV
IXYH30N450HV
VCES =
IC110 =
VCE(sat)
4500V
30A
3.9V
Symbol Test Conditions
Maximum Ratings
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
ICM
SSOA
(RBSOA)
TC = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 10
Clamped Inductive Load
4500
4500
± 20
± 30
60
30
200
ICM = 90
3600
V
V
V
V
A
A
A
A
V
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
TC = 25°C
430
-55 ... +150
150
-55 ... +150
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
300
260
W
°C
°C
°C
°C
°C
Md
Weight
Mounting Torque (TO-247HV)
TO-268HV
TO-247HV
1.13/10
4.0
6.0
Nm/lb.in
g
g
Symbol Test Conditions
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
IGES
VCE(sat)
VCE = 0V, VGE = ± 20V
IC = 30A, VGE = 15V, Note 1
TJ = 125°C
TJ = 125°C
Characteristic Values
Min.
Typ. Max.
4500
V
3.0 5.0 V
25 μA
1 mA
±200 nA
3.2 3.9 V
4.5 V
TO-268HV (IXYT)
G
E
C (Tab)
TO-247HV (IXYH)
G
E
C
G = Gate
E = Emitter
C (Tab)
C = Collector
Tab = Collector
Features
High Voltage Packages
High Blocking Voltage
High Peak Current Capability
Low Saturation Voltage
Advantages
Low Gate Drive Requirement
High Power Density
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Laser Generators
Capacitor Discharge Circuits
AC Switches
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100614(5/14)




IXYT30N450HV pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYT30N450HV
IXYH30N450HV
30
25
20
15
10
5
0
0
Fig. 7. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
125ºC
10 20 30 40 50 60 70 80
IC - Amperes
16
14 VCE = 1000V
IC = 30A
12 IG = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
QG - NanoCoulombs
10,000
1,000
100
10
0
1
f = 1 MHz
Fig. 9. Capacitance
Cies
Coes
Cres
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE - Volts
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
100
90
80
70
60
50
40
30
20 TJ = 125ºC
RG = 15
10 dv / dt < 10V / ns
0
500
1000
1500
2000 2500 3000
VCE - Volts
3500
4000
4500
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions and Dimensions.
0.1
1 10
IXYS REF: Y_30N450(H7-645) 5-20-14-A

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