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IXYH40N65B3D1 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYH40N65B3D1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYH40N65B3D1 자료 제공

부품번호 IXYH40N65B3D1 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYH40N65B3D1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYH40N65B3D1 데이터시트, 핀배열, 회로
Advance Technical Information
XPTTM 650V IGBT
GenX3TM w/ Diode
Extreme Light Punch Through
IGBT for 5-30kHz Switching
IXYH40N65B3D1
IXYQ40N65B3D1
VCES = 650V
IC110 = 40A
VCE(sat)  2.0V
tfi(typ) = 73ns
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
IF110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
tsc
(SCSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TC = 25°C
TTCC
= 110°C
= 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE= 15V, TVJ = 150°C, RG = 10
Clamped Inductive Load
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C
RG = 82, Non Repetitive
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque
TO-247
TO-3P
Maximum Ratings
650 V
650 V
±20 V
±30 V
86 A
40 A
50 A
195 A
20 A
300 mJ
ICM = 80
@VCE VCES
5
A
μs
300
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13/10
6.0
5.5
W
°C
°C
°C
°C
°C
Nm/lb.in
g
g
TO-247 (IXYH)
G
CE
TO-3P (IXYQ)
Tab
G
C
E
G = Gate
E = Emitter
Tab
C = Collector
Tab = Collector
Features
Optimized for Low 5-30kHz Switching
Square RBSOA
Anti-Parallel Fast Diode
Avalanche Rated
Short Circuit Capability
Advantages
High Power Density
Extremely Rugged
Low Gate Drive Requirement
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC
=
40A,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
150C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
650 V
3.5 6.0 V
10 A
1.5 mA
100 nA
1.7 2.0 V
2.0 V
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100630(9/14)




IXYH40N65B3D1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYH40N65B3D1
IXYQ40N65B3D1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
Fig. 7. Transconductance
TJ = - 40ºC
25ºC
150ºC
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IC (A)
10,000
f = 1 MHz
1,000
Fig. 9. Capacitance
Cies
Coes
100
10
0
Cres
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE (V)
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
1000
VCE(sat) Limit
100
10
25µs
100µs
16
14 VCE = 325V
IC = 40A
12 IG = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70
QG (nC)
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
90
80
70
60
50
40
30
20 TJ = 150ºC
10
RG = 10
dv / dt < 10V / ns
0
100
200
300
400
VCE (V)
500
600
700
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance (IGBT)
1
0.1
1 1ms
0.01
0.1 TJ = 175ºC
TC = 25ºC
Single Pulse
10ms
DC
0.01
1
10
VDS (V)
100
1000
0.001
0.00001
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
0.0001
0.001
0.01
Pulse Width (s)
0.1
1

4페이지










IXYH40N65B3D1 전자부품, 판매, 대치품
Fig. 22. Diode Forward Characteristics
80
70
60
TJ = 150ºC
50
TJ = 25ºC
40
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
VF (V)
Fig. 24. Reverse Recovery Current vs. -diF/dt
34
32 TVJ = 150ºC
30 VR = 400V
28
26
IF = 60A
30A
15A
24
22
20
18
16
14
12
200 300 400 500 600 700 800
diF/dt (A/µs)
900
Fig. 26. Dynamic Parameters QRR, IRR vs.
Junction Temperature
1.2
VR = 400V
1.0 I F = 30A
-dIF/dt = 500 A/µs
0.8
0.6
0.4 KF IRR
KF QRR
0.2
0.0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ (ºC)
IXYH40N65B3D1
IXYQ40N65B3D1
Fig. 23. Reverse Recovery Charge vs. -diF/dt
2.2
2.0 TVJ = 150ºC
VR = 400V
IF = 60A
1.8
30A
1.6
1.4
15A
1.2
1.0
0.8
200 300 400 500 600 700 800
-diF/ dt (A/µs)
900
220
200
180
160
140
120
100
80
200
Fig. 25. Reverse Recovery Time vs. -diF/dt
TVJ = 150ºC
VR = 400V
IF = 60A
30A
15A
300 400 500 600 700 800 900
-diF/dt (A/µs)
Fig. 27. Maximum Transient Thermal Impedance (Diode)
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: IXY_40N65B3D1(51) 9-11-14

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