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IXYT80N90C3 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYT80N90C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IXYT80N90C3 자료 제공

부품번호 IXYT80N90C3 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYT80N90C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXYT80N90C3 데이터시트, 핀배열, 회로
XPTTM 900V IGBT
GenX3TM
High-Speed IGBT
for 20-50 kHz Switching
IXYT80N90C3
IXYH80N90C3
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IICLR25MS
IC110
ICM
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TTeC rm=in2a5l°CCur(rCehnitpLCimaiptability)
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque (TO-247)
TO-268
TO-247
Maximum Ratings
900 V
900 V
±20 V
±30 V
165 A
160 A
80 A
360 A
ICM = 160
@VCE VCES
830
A
W
-55 ... +175
175
-55 ... +175
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
1.13/10 Nm/lb.in.
4g
6g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC
=
60A,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
150C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
950 V
3.5 5.5 V
25 A
750 A
100 nA
2.3 2.7 V
2.9 V
VCES = 900V
IC110 = 80A
VCE(sat)  2.7V
tfi(typ) = 86ns
TO-268 (IXYT)
G
E
C (Tab)
TO-247 (IXYH)
GCE
C (Tab)
G = Gate
E = Emiiter
C = Collector
Tab = Collector
Features
Optimized for Low Switching Losses
Square RBSOA
Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
International Standard Packages
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
High Frequency Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100446B(12/15)




IXYT80N90C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYT80N90C3
IXYH80N90C3
Fig. 7. Transconductance
80
TJ = - 40ºC
70
60 25ºC
50 150ºC
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
IC - Amperes
10,000
Fig. 9. Capacitance
1,000
Cies
Coes
100
Cres
f = 1 MHz
10
0
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE - Volts
16
VCE = 450V
14 IC = 80A
12 IG = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140
QG - NanoCoulombs
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
180
160
140
120
100
80
60
40 TJ = 150ºC
RG = 2
20 dv / dt < 10V / ns
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
VCE - Volts
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
1000
VCE(sat) Limit
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
1
100
25µs
0.1
10 100µs
1ms
0.01
1
0.1
1
TJ = 175ºC
TC = 25ºC
Single Pulse
10
VDS - Volts
100
10ms
DC
0.001
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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