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부품번호 | IXYX100N120B3 기능 |
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기능 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
제조업체 | IXYS | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
Preliminary Technical Information
1200V XPTTM IGBTs
GenX3TM
IXYK100N120B3
IXYX100N120B3
Extreme Light Punch Through
IGBT for 5-30 kHz Switching
VCES =
IC110 =
V ≤CE(sat)
tfi(typ) =
1200V
100A
2.6V
240ns
TO-264 (IXYK)
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
ILRMS
IC110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
FC
Weight
Test Conditions
Maximum Ratings
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ
Continuous
Transient
1200
1200
±20
±30
V
V
V
V
TC = 25°C (Chip Capability)
Terminal Current Limit
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1Ω
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
225
160
100
530
50
1.2
ICM = 200
≤@VCE VCES
1150
-55 ... +175
175
-55 ... +175
A
A
A
A
A
J
A
W
°C
°C
°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
300 °C
260 °C
Mounting Torque (TO-264)
Mounting Force (PLUS247)
1.13/10
20..120 /4.5..27
Nm/lb.in.
N/lb.
TO-264
PLUS247
10 g
6g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150°C
IGES VCE = 0V, VGE = ±20V
VCE(sat)
IC
=
IC110,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
150°C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1200
V
3.0 5.0 V
25 μA
1 mA
±100 nA
2.20
2.76
2.60 V
V
G
C
E
PLUS247 (IXYX)
Tab
G
G
C
E
Tab
G = Gate
C = Collector
E = Emitter
Tab = Collector
Features
z Optimized for 5-30kHZ Switching
z Square RBSOA
z Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
z Avalanche Rated
z International Standard Packages
Advantages
z High Power Density
z Low Gate Drive Requirement
Applications
z Power Inverters
z UPS
z Motor Drives
z SMPS
z PFC Circuits
z Battery Chargers
z Welding Machines
z Lamp Ballasts
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100519A(03/13)
IXYK100N120B3
IXYX100N120B3
Fig. 7. Transconductance
90
TJ = - 40ºC
80
70
25ºC
60
50 150ºC
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IC - Amperes
16
14 VCE = 600V
I C = 100A
12 I G = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260
QG - NanoCoulombs
10,000
1,000
Fig. 9. Capacitance
Cies
Coes
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
200
160
120
100
10
0
1
f = 1 MHz
5
10
0.3
Cres
15 20 25 30 35 40
VCE - Volts
80
40
TJ = 150ºC
RG = 1Ω
dv / dt < 10V / ns
0
200 300 400 500
600 700 800
VCE - Volts
900 1000 1100 1200 1300
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
aaaaaa
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
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