Datasheet.kr   

IXYK140N90C3 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 IXYK140N90C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IXYK140N90C3 자료 제공

부품번호 IXYK140N90C3 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


IXYK140N90C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

IXYK140N90C3 데이터시트, 핀배열, 회로
XPTTM 900V IGBTs
GenX3TM
High-Speed IGBTs
for 20-50 kHz Switching
IXYK140N90C3
IXYX140N90C3
VCES =
IC110 =
V CE(sat)
tfi(typ) =
900V
140A
2.7V
105ns
TO-264 (IXYK)
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
ILRMS
IC110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
FC
Weight
Test Conditions
Maximum Ratings
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ
Continuous
Transient
900 V
900 V
±20 V
±30 V
TC = 25°C (Chip Capability)
Terminal Current Limit
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 1Ω
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
310
160
140
840
70
1
ICM = 280
@VCE VCES
1630
-55 ... +175
175
-55 ... +175
A
A
A
A
A
J
A
W
°C
°C
°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
300 °C
260 °C
Mounting Torque (TO-264)
Mounting Force (PLUS247)
1.13/10
20..120 /4.5..27
Nm/lb.in.
N/lb.
TO-264
PLUS247
10 g
6g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150°C
IGES VCE = 0V, VGE = ±20V
VCE(sat)
IC = IC110, VGE = 15V, Note 1
TJ = 150°C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
950 V
3.5 5.5 V
25 μA
1.25 mA
±100 nA
2.15
2.85
2.70 V
V
G
C
E
PLUS247 (IXYX)
Tab
G
G
C
E
Tab
G = Gate
C = Collector
E = Emitter
Tab = Collector
Features
z Optimized for Low Switching Losses
z Square RBSOA
z International Standard Packages
z Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
z Avalanche Rated
z High Current Handling Capability
Advantages
z High Power Density
z Low Gate Drive Requirement
Applications
z High Frequency Power Inverters
z UPS
z Motor Drives
z SMPS
z PFC Circuits
z Battery Chargers
z Welding Machines
z Lamp Ballasts
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100450B(02/13)




IXYK140N90C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXYK140N90C3
IXYX140N90C3
Fig. 7. Transconductance
120
100 TJ = - 40ºC, 25ºC, 150ºC
80
60
40
20
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IC - Amperes
16
14
VCE = 450V
I C = 140A
12 I G = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 50 100 150 200 250 300 350
QG - NanoCoulombs
100,000
f = 1 MHz
Fig. 9. Capacitance
10,000
Cies
1,000
100
0
Coes
Cres
5 10 15 20 25 30 35 40
VCE - Volts
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
300
250
200
150
100
TJ = 150ºC
50 RG = 1
dv / dt < 10V / ns
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
VCE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ IXYK140N90C3.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
IXYK140N90C3

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

IXYS
IXYS

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵