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부품번호 | IXYY8N90C3 기능 |
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기능 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
제조업체 | IXYS | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
900V XPTTM IGBT
GenX3TM
High-Speed IGBT
for 20-50 kHz Switching
IXYY8N90C3
IXYP8N90C3
VCES = 900V
IC110 = 8A
VCE(sat) 3.0V
tfi(typ) = 130ns
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IICC12150
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 175°C
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M
Continuous
Transient
TTCC
= 25°C
= 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 30
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque (TO-220)
TO-252
TO-220
Maximum Ratings
900 V
900 V
±20 V
±30 V
20 A
8A
48 A
4A
15 mJ
ICM = 16
@VCE VCES
125
A
W
-55 ... +175
175
-55 ... +175
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
1.13/10 Nm/lb.in.
0.35 g
3.00 g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250A, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250A, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 150C
IGES VCE = 0V, VGE = 20V
VCE(sat)
IC = 8A, VGE = 15V, Note 1 TJ = 150C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
950 V
3.5 6.0 V
10 A
150 μA
100 nA
2.15 3.00 V
2.75 V
TO-252 (IXYY)
G
E
TO-220 (IXYP)
C (Tab)
GC E
C (Tab)
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
Tab = Collector
Features
Optimized for Low Switching Losses
Square RBSOA
Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
Avalanche Rated
International Standard Packages
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
High Frequency Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100399B(12/14)
IXYY8N90C3
IXYP8N90C3
Fig. 7. Transconductance
8
7 TJ = - 40ºC
6 25ºC
5
150ºC
4
3
2
1
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
IC - Amperes
16
14 VCE = 450V
IC = 8A
12 I G = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14
QG - NanoCoulombs
1,000
Fig. 9. Capacitance
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
18
Cies
16
14
100 12
Coes
10
8
10 6
f = 1 MHz
1
05
10
10
Cres
4 TJ = 150ºC
RG = 30Ω
2 dv / dt < 10V / ns
0
15 20 25 30 35 40
200 300 400 500 600 700 800 900
VCE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
VCE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
3 aaaa
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
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IXYY8N90C3 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | IXYS |
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