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PDF C2655 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza C2655
Descripción NPN Transistor - 2SC2655
Fabricantes Toshiba　
Logotipo Toshiba Logotipo

C2655 transistor


1. Power Amplifier ( PDF )






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No Preview Available ! C2655 Hoja de datos, Descripción, Manual

2SC2655
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2655
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Industrial Applications
Unit: mm
• Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A)
• High collector power dissipation: PC = 900 mW
• High-speed switching: tstg = 1.0 µs (typ.)
• Complementary to 2SA1020.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Rating
50
50
5
2
0.5
900
150
−55 to 150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
1

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
C2653NPN TransistorPanasonic
Panasonic
C2654NPN Transistor - 2SC2654SavantIC
SavantIC
C2655NPN Transistor - 2SC2655ETC
ETC
C2655NPN Transistor - 2SC2655Toshiba
Toshiba

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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